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  1. Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN lay

  2. Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38722607