利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下，对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构，在GaAs(100)偏A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大，半峰全宽较窄；量子阱层低温生长的样品发光强度更强；增大量子阱层V/III比可以提高