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搜索资源列表

  1. IR2106资料，英文22页

  2. 芯片是具有高电压、高速度的MOSFET和IGBT驱动器，其高低边参考输出通道。专有的高压集成和CMOS技术使芯片具有坚固的集结构。逻辑输入与标准的CMOS或LSTTL输出相兼容，可到3.3V。输出驱动具有高脉冲电流缓冲功能。浮动通道在高边可用于驱动一个N沟道MOFET　或IGBT，最大电压可达600V。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-07-27
    • 文件大小：331776
    • 提供者：lcdxqcxyycq

  1. 国外MOFET管对照手册

  2. 该资料详细介绍了国外厂家生产的场效应管的参数。可供使用者方便查阅。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-09-20
    • 文件大小：194560
    • 提供者：labcom

  1. ti 电源MOFET指南

  2. TI 内部标准的电源MOSFET指南。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-09-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhunn06

  1. FET for POWER FET

  2. FET learning MOFET, Somthing for handout

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-12-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：laigs218

  1. 元器件应用中的ST发布三款先进的高压功率MOFET系列产品

  2. 导读：意法半导体（简称“ST”）日前发布三款先进的高压功率MOFET系列产品，此系列产品具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，采用的PowerFLAT封装比主流的DPAK封装缩小52%. 　　据悉，ST的三款先进的高压功率MOFET系列产品是将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品中，不仅提高了管子的高压输出能力，而且让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。 　　除此之外，ST的三款先进的高压功率MOFET系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38748875