注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

  2. 序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-04-21
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：yangshuyin520

  1. 短沟效应与MOS器件模型

  2. 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-22
    • 文件大小：932864
    • 提供者：dx5026765

  1. MOS器件的物理基础

  2. MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-22
    • 文件大小：860160
    • 提供者：dx5026765

  1. MOS半导体器件原理

  2. MOS器件的原理，设计，应用，版图，工艺，封装，测试

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-04-03
    • 文件大小：34816
    • 提供者：zwzjgyw

  1. 第2章 章 MOS 器件物理基础

  2. 从AIC设计者角度，看器件物理；本讲 只讲授 设计者角度，看器件物理；本讲 只讲授MOS 器件物理基础知识 ? 理解MOS 管工作原理 ?

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-05-08
    • 文件大小：922624
    • 提供者：znli8102310

  1. ch2 MOS器件物理基础

  2. ch2 MOS器件物理基础(模拟CMOS集成电路设计2012年上）.pdf

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-08-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yestare66

  1. MOS器件建模及仿真

  2. 以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使人类社会已进入了信息化、网络化时代. 在全球信息化和经济全球化的进程中, 以通信、计算机、网络、家电为代表的信息技术和信息产业获得了迅猛发展，而信息技术的迅速发展依赖于半导体技术的迅猛发展，所以说，半导体技术是信息技术的基石。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2018-09-21
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_43253833

  1. 稳压MOS器件DMZ6015E.pdf

  2. 稳压MOS器件DMZ6015Epdf,超高阈值电压耗尽型MOS器件DMZ6015E，一个器件替代原电路5个元器件，减小电容C6电容值及尺寸。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743737

  1. MOS器件的窄沟道效应

  2. 描述的mos器件窄沟道效应形成的物理原因以及产生的影响

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-05-19
    • 文件大小：970752
    • 提供者：qq_20626263

  1. MOS器件物理基础

  2. MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-11-16
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：u012099473

  1. 6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. 本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38745925

  1. CH2 MOS 器件基础物理

  2. 1. MOS结构 2. MOS的I/V特性 2.1MOS的阈值电压Vth、 2.2 I/V特性的推导 3.二阶效应 3.1体效应 、 3.2 亚阈值效应、 3.3 沟道调制效应 4. 小信号模型 5.MOS器件电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：917504
    • 提供者：weixin_47373620

  1. 元器件应用中的六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38610717

  1. 短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析

  2. 短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：998400
    • 提供者：weixin_38731979

  1. 臭氧氧化Craft.io形成的GeOx界面层对Ge MOS器件的影响

  2. 臭氧氧化Craft.io形成的GeOx界面层对Ge MOS器件的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：337920
    • 提供者：weixin_38581992

  1. 通过热氧化形成锗MOS器件的超薄GeOx界面修复剂

  2. 为了形成更好的界面质量，已经提出了一种采用Al2O3薄膜作为氧阻挡层的热氧化方法来形成GeOx超薄界面修复剂的方法。同样，薄的Al2O3层在抑制热处理过程中也能很好地抑制GeO从GeOx / Ge界面脱附。用工程Al2O3 / GeOx / Ge栅叠层制造的MOS电容器和MOSFET具有良好的电气特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：338944
    • 提供者：weixin_38725086

  1. 脉冲激光沉积制备的Ge纳米晶体MOS器件的存储特性

  2. 脉冲激光沉积制备的Ge纳米晶体MOS器件的存储特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：303104
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 脉冲激光沉积制备的Ge纳米环MOS器件的存储特性

  2. 脉冲激光沉积制备的Ge纳米环MOS器件的存储特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：237568
    • 提供者：weixin_38576392

  1. 六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38502290

  1. 用15个为什么？详解MOS器件的重要特性

  2. 一、为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？ 　　【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：191488
    • 提供者：weixin_38750999
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 25 »