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CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 详细说明了CMOS工艺的版图秩序哦过程 非常好
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-06-17
文件大小:5242880
提供者:
hfutsky
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 详细介绍cmos工艺下的版图设计工作,详细,清楚,明了。是初学者的首选。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-06-26
文件大小:5242880
提供者:
skyzcp
adc0804程序 引脚图 接口电路
ADC0804: ADC0804是8位全MOS中速A/D 转换器、它是逐次逼近式A/D 转换器,片内有三态数据输出锁存器,可以和单片机直接接口。单通道输入,转换时间大约为100us。ADC0804 转换时序是:当CS=0 许可进行A/D 转换。WR由低到高时,A/D开始转换,一次转换一共需要66-73 个时钟周期。CS与WR同时有效时启动A/D转换,转换结束产生INTR 信号(低电平有效),可供查询或者中断信号。在CS和RD 的控制下可以读取数据结果。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-08-03
文件大小:345088
提供者:
paulhyde
IR系列MOS驱动ic中文应用手册
IR系列MOS驱动ic中文应用手册 IR2103,2118等驱动电路设计必看!
所属分类:
其它
发布日期:2009-08-09
文件大小:2097152
提供者:
youthb
IR系列MOS驱动ic中英文应用手册
IR系列MOS驱动ic中文和英文的应用手册,发现中文翻译有部分错误!并附有自居电容选取的手册! IR2103,2118等驱动电路设计必看!
所属分类:
其它
发布日期:2009-08-15
文件大小:1048576
提供者:
youthb
晶体管放大电路(上)
晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一,共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理,放大电路的性能、设计与应用,射极跟随器的性能与应用电路,小型功率放大电路的设计与应用,功率放大器的设计与制作,共基极电路的性能、设计与应用,视频选择器的设计与制作,共射-共基电路的设计,负反馈放大电路的设计,直流稳定电源的设计与制作,差动放大电路的设计,运算放大电路的设计与制作,下册则共分15章,主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-09-01
文件大小:18874368
提供者:
libingchu
MOS场效应管及其电路
1.FET分为JFET和MOSFET两种,工作时只有一种载流子参与导电,因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件,改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2.FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同,主要有自偏压式和分压式两种。 3. FET放大电路也有三种组态:共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路,然后再进行计算,求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-09-11
文件大小:1048576
提供者:
smallmuou
电瓶车大功力mos管驱动
电瓶车大功力mos管驱动电路,双管半桥。仅供学习参考
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-09-25
文件大小:94208
提供者:
davidjsx
MOS模拟集成电路的基本单元电路课件
介绍了MOS模拟集成电路的基本单元电路:MOS场效应管的特点、模型、三种基本放大电路、有源负载、电流源、单级放大电路、差分放大电路、功率输出单元电路、开关电容电路。。。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-10-08
文件大小:854016
提供者:
woshihwt
MOS驱动,好东西,很实用
MOS驱动电路很实用的资料,主要讲解的是自举电容的选取方法,要用的来下吧
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-10-12
文件大小:151552
提供者:
wgj306109700
电子电路学原理动画演示 以flash形式展示原理更易于理解
主要以flash形式演示了电子电路学的基本原理。包括N沟道增强型MOS管的结构,PN结的单向导电性,PN结的形成,本征激发,二极管开关特性,基本放大电路的放大作用,桥式全波整流电路等,让你对原理的东西一目了然。
所属分类:
Flash
发布日期:2009-11-15
文件大小:3145728
提供者:
yiooo
超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf
序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容
所属分类:
制造
发布日期:2010-04-21
文件大小:6291456
提供者:
yangshuyin520
MOS管防反接电路
MOS防反接电路,低功耗技术设计,压降小,内阻小。NMOS,PMOS.
所属分类:
嵌入式
发布日期:2018-06-15
文件大小:220160
提供者:
qq_16690637
东南大学信息学院 模拟电路 期中试卷 2013年期中
东南大学信息学院 模拟电路 期中试卷 答案 考研复试529 真题资料在如图所示电路中,晶体管的β=150,V=-100V, VBom=0.7V,试求o,VcEQ’并画出该电路的小信号 等效电路,求输入电阻R,输出电阻R。,电压增益A,。 设各电容对交流呈短路。 -vCc(15V) RBi R boko 6.6k T R R R +B2 13.2k 15k 100g R 七2 C 2.2k E Ri R 在如图所示P沟道 EMOSFET电路中,已知kCW(2)=05mAy2 VGs-V,设VA=
所属分类:
电信
发布日期:2019-10-19
文件大小:671744
提供者:
deanrossi
数字电路讲义-第三章.pps
本资源适合对数电有兴趣的具备一定编码,逻辑基础功底的朋友 在本章中着重讨论的是TTL,CMOS,及ECL等门电路,的基本结构,工作原理,外部特性及其相应的应用知识 1)二极管,三极管的开关特性; 2)TTL与非门的工作原理(这一部分是本章的重点) 3)了解TTL门电路的外特性:包括传输,输入,输入负载,输出负载特性; 4)OC门和三态门的工作原理与应用; 5)ECL门电路的工作原理; 6)MOS电路的工作原理
所属分类:
讲义
发布日期:2019-07-14
文件大小:6291456
提供者:
weixin_44566643
MOS管子参数计算
对于一个MOS电路来说,计算的话,有两个参数是比较重要的。一个是vth,一个是UnCox。不考虑其他效应。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-04
文件大小:51200
提供者:
weixin_38661236
MOS管子参数计算知识
对于一个MOS电路来说,计算的话,有两个参数是比较重要的。一个是vth,一个是UnCox。不考虑其他效应。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-10
文件大小:226304
提供者:
weixin_38680671
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-21
文件大小:316416
提供者:
weixin_38553478
交互式MOS电路尺寸调整的尺寸灵敏度方法。
交互式MOS电路尺寸调整的尺寸灵敏度方法。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:196608
提供者:
weixin_38736652
基于SET-MOS电路的离散混沌系统实现
基于SET-MOS电路的离散混沌系统实现
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-09
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38743391
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