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  1. MOS场效应管及其电路

  2. 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：smallmuou

  1. MOS管驱动电路总结

  2. MOS管种类和结构、MOS管导通特性、MOS开关管损失、MOS管驱动、MOS管应用电路（低压应用、宽电压应用、双电压应用....）

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-01
    • 文件大小：34816
    • 提供者：yangli_bang

  1. 几种MOS管“击穿”，你了解吗？.pdf

  2. 几种MOS管“击穿”，你了解吗？pdf,MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：186368
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 绝缘栅型场效应管之图解2

  2. 本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 场效应管开关电路原理

  2. 效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不分明，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”，假如这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速进步的哦！好了，说到这里场效应管的恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用 ： 表示，关于它的结构原理由于比拟笼统，我们是浅显化讲它的运用，所以不去多讲，由于依据运用的场所请求不同做出来的品种繁多，特性也都不尽相同；我们在mpn中常用的普通是作为电源供电的电控之开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38550146

  1. 场效应管在电路中如何控制电流大小

  2. 场效应管的概念 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：230400
    • 提供者：weixin_38711369

  1. MOS管常见相关知识整理

  2. MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38516386

  1. mos管开关电路图大全

  2. mos管开关电路图（一） 图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：292864
    • 提供者：weixin_38514620

  1. MOS管和IGBT管的定义与辨别

  2. MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 IGBT管 IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38614636

  1. 关于场效应管的注意事项

  2. 场效应管的注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 简析场效应管如何分类

  2. 场效应管的分类 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） 1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38548421

  1. 场效应管发热的解决方法

  2. 场效应管发热的原因 1、电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2、频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3、没有做好足够的散热设计 电流太高，MOS管标称

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 场效应管是什么？场效应管工作原理

  2. 场效应管是什么 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 -氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38556737

  1. 场效应管与晶体管的比较

  2. 场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 （2）场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。 （3）场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。 （4）场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅—

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38698927

  1. 场效应管和晶闸管的区别

  2. 场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。 什么是场效应管 这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示： PMOS的衬底为N型半导体，在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38603924

  1. 场效应管检测方法与经验

  2. MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38603204

  1. MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数

  2. MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38501826

  1. 绝缘栅型场效应管的简单介绍

  2. 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38680492

  1. 元器件应用中的图解绝缘栅型场效应管

  2. 本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 　　增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 　　耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 　　1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 　　在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 　　其他MOS管符号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 场效应管的测量方法图解

  2. 下面是对场效应管的测量方法 　　场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)，我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。 　　下图为MOS管的标识 　　我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道还是P沟道都一样。。。把芯片放正。。。从左到右分别为G极D极S极！如下图： 　　用二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：162816
    • 提供者：weixin_38639471
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