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  1. OP放大器应用技巧100例（松井邦彦）

  2. 本书是“图解实用电子技术丛书”之一。本书主要介绍op放大器在电子技术应用领域中100个应用技巧。针对在使用过程中可能出现的问题，结合op放大器特性，进行简要分析，并给出最终解决的方法。同时，尽可能地提供完整的op放大器的性能参数。全书共分11章，第1章介绍op放大器应用技巧须知，第2章介绍单电源/低功率op放大器的应用技巧，第3章介绍op放大器的应用技巧，第4章介绍微小电流op放大器的应用技巧，第5章介绍低噪声op放大器的应用技巧，第6章介绍高速op放大器的应用技巧，第7章介绍op放大器的稳定

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-18
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：zhenggujianke

  1. 详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤.doc

  2. ZVS即所谓零电压开关（ZVS）/零电流开关（ZCS）技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理： 1. 上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_39840650

  1. LED日光灯电源设计有关发热烧MOS管五大关键技术点分析.docx

  2. 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析.pdf

  2. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析pdf,提出一种单级全桥软开关功率因数校正电路,它采用移相控制方式,能同时实现功率因数校正、软开关、输出电压调节和电气隔离.但由于电路特殊的控制方式和所要实现的功率因数校正功能,该校正电路中的功率变压器除存在普通全桥变换器产生偏磁的原因外,还存在产生偏磁的特殊因素.本文在分析变换器的电路结构和工作原理之后,对偏磁的产生机理进行了分析,指出了该变换器影响偏磁大小的各种因素,并给出一种解决措施,可有效抑制偏磁的产生,最后的仿真和实验证明了理论分析的正确性第

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744270

  1. MOS管发热分析

  2. 上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光，使得栅极驱动电压下降。在栅极驱动电压下降的过程中，MOSFET进入放大区，管压降迅速增加

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-02-24
    • 文件大小：77824
    • 提供者：heikewang19

  1. 小电流mos管发热分析

  2. 小电流mos管发热分析 mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图： 在开关电源中常用MOS管的漏极开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38626179

  1. LED日光灯电源发热烧坏MOS管五大技术点分析

  2. 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-14
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38565003

  1. MOS管发热五大关键技术点分析

  2. 做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到场效应管，也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热五大关键技术。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-08
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38651812

  1. LED日光灯电源设计有关发热烧MOS管五大关键技术点分析

  2. 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-19
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38751031

  1. 基础电子中的电源模块热设计分析

  2. 高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低，变压器漆包线的绝缘特性降低，晶体管损坏，材料热老化，焊点脱落等现象。有统计资料表明，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。对于电源模块的热设计，它包括两个层面：降低损耗和改善散热条件。 　　一、元器件的损耗 　　损耗是产生热量的直接原因，降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部，使得热量散不出去，这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。 　　电源模块热设计的关键器件一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38681147

  1. 电源技术中的多颗MOS管的并联应用研究

  2. 1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 　　2.MOS管的并联电路 　　理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：109568
    • 提供者：weixin_38614952

  1. 电源技术中的LED日光灯电源发热烧坏MOS管五大技术点分析

  2. 1、芯片发热     本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38590685

  1. 电源模块热设计分析

  2. 高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低，变压器漆包线的绝缘特性降低，晶体管损坏，材料热老化，焊点脱落等现象。有统计资料表明，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。对于电源模块的热设计，它包括两个层面：降低损耗和改善散热条件。 　　一、元器件的损耗 　　损耗是产生热量的直接原因，降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部，使得热量散不出去，这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。 　　电源模块热设计的关键器件一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：286720
    • 提供者：weixin_38656103

  1. 如何通过测量揪出MOS管发热问题？

  2. 近，做了一款小功率的开关电源，在进行调试的时候，发现MOS管发热很严重，为了解决MOS管发热问题，要准确判断是否是这些原因造成，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。通过这次解决这个MOS发热问题，发现正确选择关键点的测试，是否和分析的一致，才是解决问题之关键。 　　在进行开关电源测试中，除了用三用表测量控制电路其他器件的引脚电压，比较重要的是用示波器测量相关的电压波形。当判断开关电源是否工作正常，测试什么地方才能反映出电源的工作状态，变压器原边和次级以及输出反馈是否合理，开关MOS管是否

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38687904

  1. LED日光灯电源发热烧坏MOS管五大技术点分析

  2. 1、芯片发热     本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38747815

  1. 多颗MOS管的并联应用研究

  2. 1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 　　2.MOS管的并联电路 　　理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38628647