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搜索资源列表

  1. 模拟电子技术基础电子教案

  2. 《 模 拟 电 子 技 术 基 础 》 教学计划 2005.2.21～2005.6.10 周次 学时 内 容 作 业 思 考 题 复 习 备 注 1 2 绪论； 2.1 单管共射放大电路的组成和工作原理； （01） 1.〖2.1.1〗 2.〖2.1.2〗3.〖2.1.3〗 4.〖2.1.4〗 P118~P132 第2章15学时习题课2学时 2 4 2.2 放大电路的分析方法；2.3 频率 响应的基本概念及单管共射放大电路的频率响应特性 （02~03） 1.〖2.2.2〗 2.〖2.2.5〗3.

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2009-05-23
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：qswsl

  1. Linear and Switching Voltage Regulator Fundamentals

  2. LDO基础知识介绍，都是三极管控制的，比较老的了。现在用的里面都有MOS管了。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-03
    • 文件大小：152576
    • 提供者：luciffer13

  1. 场效应管--MOS管基础知识

  2. 详细介绍了MOS管的工作原理，以及相应的用法，ppt格式

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-23
    • 文件大小：961536
    • 提供者：Snowdrinker

  1. MOS管的基础知识MOS管的基础知识

  2. MOS管的基础知识.............................................................

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-07
    • 文件大小：231424
    • 提供者：paulsgnliu

  1. 常见mos管.

  2. 很全的电子元器件基础知识讲义常见mos管.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-10-11
    • 文件大小：343040
    • 提供者：bjtrxdcj

  1. CMOS VLSI设计原理和系统展望.pdf

  2. 第一章 CMOS电路基础知识 第二章 MOS管理论 第三章 CMOS工艺技术 第四章 电路特性和性能估计 第五章 CMOS电路和逻辑设计 第六章 结构化设计和测试 第七章 符号法版图设计系统 第八章 CMOS子系统设计 第九章 系统实例研究 附录 CMOS和uMOS倒相器噪声容限的计算

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-22
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：yangshuyin520

  1. 模拟集成电路原理 第3章 单级放大器

  2. 放大器基础知识 ? 共源级— 电阻做负载 ? 共源级— 二极管接法的MOS 管做负载 ? 共源级— 电流源做负载 ? 共源级－深线性区MOS 管做负载 ?

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-05-08
    • 文件大小：602112
    • 提供者：znli8102310

  1. MOS管电路工作原理及详解.ppt

  2. 在嵌入式电路设计中，常用到的元器件，场效应晶体管（MOS管）的基础知识介绍，P-MOS、N-MOS的区别，以及在电路中的工作原理。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-07-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_41975640

  1. 三极管_MOS管.docx

  2. 改文档简要介绍了三极管和MOS管的基础知识及使用时的注意事项。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-09-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u012545537

  1. 电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍.pdf

  2. 电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍pdf,本文档的详细介绍的是电子技术基础知识存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列的介绍主要内容包括了： 1 只读存储器，2 随机存取存储器，3 复杂可编程逻辑器件，4 现场可编程门阵列，5 用EDA技术和可编程器件的设计例题概述 半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的组成部分,它可 以用来存放大量二值数据。半导体存储器属于大规模集成电路。 SRAM( StatIc ram):静态RAM RAM (Random- 存倍 )Ace

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 一些硬件设计基础知识总结

  2. 1：什么是二极管的正偏?在p节加正电压，而n节加负电压。即为正偏。 正偏是扩散电流大大增加，反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的，所以有反向饱和电流! 2：一般低频信号，电阻线的粗细是为了流多少电流，而粗细带来的电阻大小不计，因为铜线本身电阻很小，当然特殊情况例外! 3：MOS管是依靠多子电子的一种载流子导电的，与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件，不需要设置晶体三极管中的隔离岛，节省心片面积，适合超大规模电路。它的特点是 压控!即控制端几乎

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38558054

  1. 关于MOS管的基础知识大合集

  2. 下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38514322

  1. MOS管开关电路设计知识

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38659248

  1. 元器件应用中的关于MOS管的基础知识大合集

  2. 下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1，MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 　　至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 　　对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38684892

  1. 元器件应用中的MOS场效应管基础知识讲述

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38743076

  1. 元器件应用中的半导体基本器件

  2. 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别 一．网上导学 二．典型例题 三．本章小结 四．习题答案 网上导学： *了解半导体基础相关知识：1.半导体(导电性能介于┉) ；2.本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) 与掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38677806

  1. 数电模电基础知识之搞懂数电技术

  2. 一、集成门电路　　数字集成电路按其内部有源器件的不同可以分为两大类：一类为双极型晶体管集成电路（TTL电路）；另一类为单极型集成电路（MOS管组成的电路）。　　1．TTL集成逻辑门电路　　（1）TTL与非门　　CT74S肖特基系列TTL与非门的电路组成如图2-19（a）所示，它由输入级、中间级、输出级3个部分组成。　　　　图2-19 TTL与非门电路图　　输入级：由多发射极管VT1和电阻R1组成，多发射极管的3个发射结为3个PN结。其作用是对输入变量A、B、C实现逻辑与，所以它相当于一个与门。　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：644096
    • 提供者：weixin_38508821

  1. MOS管开关的基础知识

  2. 一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。　　MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38711972