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  1. MOS运算放大器——原理、设计与应用(李联).pdf

  2. MOS运算放大器——原理、设计与应用(李联).pdf
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-06-27
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:kingie
  1. 李联 MOS运算放大器

  2. 一本很老但很经典的关于运放设计的IC书 包括运放设计所需的基础知识 经典运放分析
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-09-01
    • 文件大小:6291456
    • 提供者:bodyeffect
  1. MOS运算放大器——原理、设计与应用(李联)

  2. 本文将详细描述了mos运算放大器的原理和设计方法,并给出了一些参数,和计算机辅助设计案例。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-11-15
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:zhudx2007
  1. MOS运算放大器——原理、设计与应用(李联)

  2. MOS运算放大器 ——原理、设计与应用(李联)
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-02-03
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:cijun2008
  1. mos运算放大器原理设计应用李联

  2. mos运算放大器原理设计应用李联.rar 清华大学 不错的文章 可以参考一下
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-07-25
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:lvdou2005
  1. 李联.MOS运算放大器—— 原理、设计与应用

  2. 李联.MOS运算放大器—— 原理、设计与应用李联.MOS运算放大器—— 原理、设计与应用
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-01-05
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:liuxue3333
  1. mos运算放大器原理设计应用(李联着).pdf

  2. mos运算放大器原理设计应用(李联着).pdf
  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2012-06-11
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:q123456789098
  1. MOS运算放大器-原理、设计与应用

  2. 详细介绍了MOS运算放大器-原理、设计与应用
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-11-30
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:aryao942
  1. MOS运算放大器仿真规范

  2. 介绍了有关MOS运算放大器(包括OTA)的性能参数的定 义及其仿真测试电路。MOS运算放大器的仿真包括直流特性仿真、交流特性仿真、瞬态特性仿真、 工艺容差仿真、温度特性仿真及极限(最坏情况〕仿真。本文对上述各种类型的仿真方法逐一进 行了详细介绍,在进行运放的仿真测试时可供选择参考
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2008-12-27
    • 文件大小:203776
    • 提供者:liugui_201007
  1. MOS运算放大器-原理、设计与应用

  2. MOS运算放大器-原理、设计与应用,mos的详细介绍
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-02-01
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:jiangbihao
  1. MOS运算放大器——原理、设计与应用

  2. 本书是关于MOS运算放大器——原理、设计与应用方面的资料,希望对各位有用!!
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-06-06
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:shancjb
  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 运算放大器工作原理及选择(电子竞赛用)

  2. 模拟运算放大器从诞生至今,已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺,后来改进为硅NPN-PNP工艺(后面称为标准硅工艺)。在结型场效应管技术成熟后,又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后,特别是CMOS技术成熟后,模拟运算放大器有了质的飞跃,一方面解决了低功耗的问题,另一方面通过混合模拟与数字电路技术,解决了直流小信号直接处理的难题。为电子竞赛作参考。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-08-22
    • 文件大小:92160
    • 提供者:zhengyijun0905
  1. 基于0.5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:221184
    • 提供者:weixin_38680957
  1. 基于0.5μm CMOS工艺的新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图。在MCNC0.5μm工艺平
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:220160
    • 提供者:weixin_38746701
  1. 新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:235520
    • 提供者:weixin_38593644
  1. 模拟技术中的前置运算放大器的噪声分析与设计

  2. D类音频功率放大器中,前置运算放大器是一个比较重要的模块,它位于整个拓扑结构中的前面,完成输入信号源的加工处理,或者实现放大增益的设置,或者实现阻抗变换的目的,使其和后面功率放大级的输入灵敏度相匹配;前置放大器获得并稳定输入音频信号,并确保差动信号,设计时需要尽量减小其等效输入的闪烁噪声及热噪声,降低输出电阻,增加其PSRR、CMRR、SNR、频带宽度、转换效率等参数。   一般来说,双极晶体管的闪烁噪声具有较低的转角频率(闪烁噪声和热噪声的交叉点),低于MOS晶体管的闪烁噪声,在音频等低频
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-19
    • 文件大小:150528
    • 提供者:weixin_38665411
  1. 模拟技术中的D类音频前置运算放大器的噪声分析与设计

  2. D类音频功率放大器中,前置运算放大器是一个比较重要的模块,它位于整个拓扑结构中的前面,完成输入信号源的加工处理,或者实现放大增益的设置,或者实现阻抗变换的目的,使其和后面功率放大级的输入灵敏度相匹配;前置放大器获得并稳定输入音频信号,并确保差动信号,设计时需要尽量减小其等效输入的闪烁噪声及热噪声,降低输出电阻,增加其PSRR、CMRR、SNR、频带宽度、转换效率等参数。   一般来说,双极晶体管的闪烁噪声具有较低的转角频率(闪烁噪声和热噪声的交叉点),低于MOS晶体管的闪烁噪声,在音频等低频
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-19
    • 文件大小:101376
    • 提供者:weixin_38710557
  1. 流水线ADC运算放大器的设计

  2. 基于0.18μmCMOSCraft.io设计了一个用于流水线型ADC的全差分运算放大器,提出简化的等效模型,推导得到其传输函数,分析影响直流增益和频率特性的关键因素,优化关键位置处MOS尺寸与仿真结果表明,在1.8V电源电压下,所设计的运算放大器在负载为4pF时,直流增益为123dB,单位增益幅度为860MHz,相位差。裕度为68°,能满足14位,50MHz以上流水线ADC的需要。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-24
    • 文件大小:433152
    • 提供者:weixin_38720050
  1. ADA4817-1/-2 FET运算放大器的性能特点和应用

  2. 场效应晶体管简称FET,其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能,和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等,是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。  高性能信号处理解决方案供应商Analog Devices(ADI)  推出一款业界  快的场效应晶体
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:53248
    • 提供者:weixin_38699593
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