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搜索资源列表

  1. Mosfet/IGBT隔离驱动技术

  2. 详细介绍了MOSFET,IGBT的隔离驱动方法，有实例

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-07-24
    • 文件大小：176128
    • 提供者：lwlyiwen3

  1. IGBT模块的工作原理 特性及注意事项

  2. 摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）输入阻抗高、开关速度快、热稳定性能好、饱和压降低、驱动功率小、驱动电路简单、耐压高和容量大，集合了 MOSFET 和 GTR 的优点，广泛应用于电子设备以及农业机械领域。通过对IGBT 模块的工作原理、特性以及相关注意事项进行研究，以加深对 IGBT 模块的了解，促进其在实际工作的推广使用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-11
    • 文件大小：311296
    • 提供者：yahstone

  1. 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  2. 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-13
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：andyouwo

  1. MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的应用研究

  2. 介绍了MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的使用情况, 分析了其工作电路中外围各元器件的作用, 同时指出了在使 用过程中应注意的一些问题和现象, 并对不同公司的MOSFET/IGBT 驱动芯片作了简要介绍。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-08-24
    • 文件大小：701440
    • 提供者：xchftt

  1. igbt驱动2sc0434T

  2. igbt mosfet 驱动电路，模块

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-10-14
    • 文件大小：304128
    • 提供者：ftron

  1. MOSFET驱动注意事项

  2. 在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT作为功能器件，该类器件的耐压可以做得较高，结合了FET和三极管的优点，它的导通电阻和开关速度不比MOSFET，所以器件本身的导通损耗和开关损耗都比较大，一般需要另加散热装置

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-14
    • 文件大小：165888
    • 提供者：guosheng5977

  1. IGBT工作原理应用

  2. IGBT具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-10-10
    • 文件大小：315392
    • 提供者：mql20100724

  1. 使用MOSFET & IGBT

  2. 使用MOSFET & IGBT

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-05-28
    • 文件大小：550912
    • 提供者：r290268149

  1. MOSFET管在点击控制中的应用

  2. IR2136是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱 动集成电路，独有的HVIC（High voltage integrated circuit）技术使得它可用作驱动工作在母线电压高 达600V的电路中的功率MOS器件。其内部采用自 举技术，使得功率驱动元件驱动电路仅需输入一 个直流电源，使其实现对功率MOSFET和IGBT的 最优驱动。它还具有完善的保护功能，它们的应用 可提高系统的集成度和可靠性，并可大大缩小线 路板的尺寸。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-11-27
    • 文件大小：138240
    • 提供者：sjh810732

  1. 5全控器件2(MOSFET和IGBT).ppt

  2. 5全控器件2(MOSFET和IGBT).ppt

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-08-10
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：orangepolly

  1. IGBT驱动器HIC芯片TX-KA103高频大功率MOSFET、IGBT驱动器产品手册.pdf

  2. IGBT驱动器HIC芯片TX-KA103高频大功率MOSFET、IGBT驱动器产品手册.pdf

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-05-06
    • 文件大小：451584
    • 提供者：hanweiwallywang

  1. IGBT原理介绍

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点，这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件，并且得到越来越广泛的应用。 本文主要介绍了IGBT的结构

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2013-08-08
    • 文件大小：448512
    • 提供者：shenbubu

  1. IGBT模块损耗

  2. IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-09-28
    • 文件大小：643072
    • 提供者：u012282541

  1. IGBT驱动器驱动能力计算

  2. 非常有用的IGBT驱动计算指导，帮助设计IGBT或MOSFET驱动电路

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-12-17
    • 文件大小：151552
    • 提供者：yyx082827

  1. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-12-30
    • 文件大小：312320
    • 提供者：tangqijia

  1. 在电源拓扑中何时选用IGBT何时选用MOSFET

  2. IGBT or MOSFET: Choose Wisely by Carl Blake and Chris Bull, International Rectifier With the proliferation of choices between MOSFETs and IGBTs, it is becoming increasingly difficult for today’s designer to select the best device for their applicati

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-02-04
    • 文件大小：58368
    • 提供者：flxhyjx

  1. mosfet-igbt

  2. 文档中有对应的利用MOS管驱动高压大电流IGBT电路，以及对应的改进设计电路。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-06-27
    • 文件大小：87040
    • 提供者：g935738134

  1. 元器件应用中的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介

  2. FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出电压摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模噪声抑制比(CMR)为35kV/?s，适合嘈杂的工业应用。 　　FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepag

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38656662

  1. Vishay发布新型MOSFET IGBT驱动器VO3150

  2. Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器，该器件的最大低电平输出电压为 1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 － 新型 VO3150 － 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。 　　采用 8 引脚 DIP 封装的 VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38584058

  1. TI资源 MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

  2. MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2021-01-08
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：z211zzq
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