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  1. 实例解读51单片机完全学习与应用

  2. 目 录 第1篇 序 幕 单片机是什么？单片机有何用？如何系统学习单片机？单片机系统设计的流程是怎样的，需要掌握哪些辅助软件？本篇将针对这些问题一一阐述，为读者掀开单片机完全学习与应用的华丽序幕。 第1章 单片机在哪里 1.1 ■寻找单片机 1.1.1 电磁炉与单片机 1.1.2 MP3播放机与单片机 1.1.3 更多单片机 1.2 ■学习单片机 1.2.1 掌握单片机基础知识 1.2.2 理解单片机系统 1.2.3 成为单片机系统设计师 1.3 ■单片机之家 1.3.1 Intel 8051单

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-10-27
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：hwdemtv

  1. 大功率变频可调电源的设计与实现

  2. 正弦脉宽调制和变频调速技术在工业控制领域的应用日见广泛。许多电力测试仪器都要求大功率、高性能以满足电力设备的测试要求。目前，市场上的大功率开关电源，其核心功率器件大都采用MOSFET半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管，它们都不能满足小型、高频、高效率的要求。本文介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38738272

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求，如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案.pdf

  2. 采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案pdf,采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案馈电采用精密穩匚溟TI431和线性咒耦PC817。利用TL431可周精密穩压器构成误差屯工放大郡,再通过线性光耦 对输出进行精确的调整。如图2所示,R4、R5是精密稳压源的外接控制电在,它们决定输出电压的高低,和TL431一并组成外 部误芹放大器。当输出电压升高,取样电压VR7中随之升高,设定电压大于草准电压TL431m基淮丰压为2.5V),使TL431 内的误差放大器的输出电氐于高。致使片内驱动三极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：759808
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 可直接并联大功率AC/DC转换器设计.pdf

  2. 可直接并联大功率AC/DC转换器设计pdf,随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着lGBT 的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。系统的PWM部分呆用电流型控制芯片Uc3846组成波形宀生电路[4]。图3是大功率开关 电源的PWM控制的电气原理图。 113 D: DLM L℃86 本z 3 Aoun 14 DOT pM4本 RFOLT T SEN 6 ERA.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

  2. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究pdf,基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究密封技木两 www.mfw365.com 首家密封技行业门户网站 explained in the concrete Moreover, according to characteristic of the motor' s structure, the old Three-step Starting Technology" has been improved. What is more Important, a

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：15728640
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 元器件应用中的步进电机的MOSFET管驱动设计

  2. H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 　　电路原理 　　图1给出了H桥驱动电路与步进电机AB相绕组连接的电路框图。 　　 　　4个开关K1和K4，K2和K3分别受控制信号a，b的控制，当控制信号使开关K1，K4合上，K2，K

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38638002

  1. 基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计

  2. TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET 开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。介绍其内部结构和工作原理,给出几种应用于反激式功率变换电路的典型用法,并给出一种反激式开关电源的实用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38718434

  1. 基础电子中的谐振单相全桥逆变器控制方法如何确定？

  2. 导读：随着电子电力器件设计技术的不断发展，逆变器被广泛的应用在各种设计当中，其中串联谐振全桥逆变器被使用的频率更是频繁。本篇文正就针对串联谐振半桥变压器当中的脉冲密度、脉冲频率等脉冲控制方法进行了比较分析和讨论，其中尤其对频率调频与脉宽进行了着重的分析。       基本结构分析       串联谐振逆变器的基本原理图如图1所示。它包括直流电压源，和由开关S1～S4组成的逆变桥及由R、L、C组成的串联谐振负载。其中开关S1～S4可选用IGBT、SIT、MOSFET、SITH等具有自关断能力的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38694800

  1. 模拟技术中的MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：174080
    • 提供者：weixin_38747233

  1. 基础电子中的基于MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：154624
    • 提供者：weixin_38501363

  1. 电源技术中的基于DC-DC电荷泵的研究与设计

  2. 摘要：本文以Dickson电荷泵的基本原理出发点，研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点，为确定电容时间常数，采用非交叠（nonoverlapping）时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的当电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOSFET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度，使转换效率得到明显提高。此电路结构简单，性能优良，易于集成，可广泛应用于输出负电压的电源产品中。 　　1引言 　　电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：159744
    • 提供者：weixin_38748382

  1. 单片机与DSP中的用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

  2. 1 前言 　　绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。　　有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(D

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：229376
    • 提供者：weixin_38570202

  1. 电源技术中的大功率变频可调电源的设计与实现

  2. 摘　要　介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。 关键词　正弦脉宽调制，IGBT模块，故障锁定，电源 1　引言 　　正弦脉宽调制和变频调速技术在工业控制领域的应用日见广泛。许多电力测试仪器都要求大功率、高性能以满足电力设备的测试要求。目前，市场上的大功率开关电源，其核心功率器件大都采用MOSFET半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管，它们都不能满足小型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38638312

  1. 谐振单相全桥逆变器控制方法如何确定？

  2. 导读：随着电子电力器件设计技术的不断发展，逆变器被广泛的应用在各种设计当中，其中串联谐振全桥逆变器被使用的频率更是频繁。本篇文正就针对串联谐振半桥变压器当中的脉冲密度、脉冲频率等脉冲控制方法进行了比较分析和讨论，其中尤其对频率调频与脉宽进行了着重的分析。       基本结构分析       串联谐振逆变器的基本原理图如图1所示。它包括直流电压源，和由开关S1～S4组成的逆变桥及由R、L、C组成的串联谐振负载。其中开关S1～S4可选用IGBT、SIT、MOSFET、SITH等具有自关断能力的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：177152
    • 提供者：weixin_38609765

  1. MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38558246

  1. IGBT的结构与工作原理

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：159744
    • 提供者：weixin_38507121

  1. IGBT浅析，IGBT的结构与工作原理

  2. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38683721