MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能、寿命、EMI水平都有至关重要的影响，本文介绍了一种简单实用的方法，利用泰克TDS3000系列示波器，可以实时做出MOSFET的开关轨迹线，为改善MOSFET的开关状态提供依据。 开关电源中的开关器件(本文以MOSFET为例)在任意时刻的损耗都可以用下式计算， 其中，ID为开关器件的电流，UDS为电压。一般地，我们希望开关器件工作在饱和或截止状态。为减小开关损耗，在器件开关的动态