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  1. How to read MOSFET datasheet

  2. 该文是讲如何阅读MOS管的DATASHEET，可以指导如何进行MOSFET管的选型

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-12
    • 文件大小：185344
    • 提供者：qydf1979

  1. 国外MOSFET管参数对照手册

  2. 常用的功率MOSFET管的参数对照代换表，对管子选型或者替换有一定帮助

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-12-03
    • 文件大小：193536
    • 提供者：athena6174

  1. 功率MOSFET管构成的功率放大器电路

  2. 功率MOSFET管构成的功率放大器电路 +原理图+论文

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-06-26
    • 文件大小：216064
    • 提供者：tzh123456987

  1. 详细讲解MOSFET管驱动电路

  2. MOSFET管驱动电路的资料，基本的东西都讲到了，可以看一下

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-01-09
    • 文件大小：347136
    • 提供者：jmfxhcl30

  1. MOSFET管经典驱动电路设计大全.7z

  2. MOSFET管经典驱动电路设计大全，很好的资料，易懂，详实，非常值得拥有，希望对你的工作学习有所帮助。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-03-06
    • 文件大小：533504
    • 提供者：lucjn

  1. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf.pdf

  2. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdfpdf,MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf般来讲,三极管是电流驱动的, MOSFET是电压驱动的,因为我是 用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用 MOSFET做,这样也可以节省系 统功耗吧,在做开关管时有一个必頒注意的事项就是输入和输入两端 间的管压降问题,比如个5的电源,经过管了后可能变为了4.5V, 这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载 的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才 想起来管子上占了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：693248
    • 提供者：weixin_38744270

  1. MOSFET管栅极阻尼电阻的选择

  2. 从电子电路最基础的理论知识出发，通过理论分析MOSFET场效应管栅极阻尼电阻Rg的选择，为实际的设计提供理论依据。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-11-11
    • 文件大小：155648
    • 提供者：stanleysit

  1. MOSFET管驱动电路的设计.pdf

  2. MOSFET管驱动电路的设计：详细讲解了MOS管驱动电路如何设计，对理解MOS驱动电路的细节原理很有帮助

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

  2. 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38749305

  1. MOSFET管驱动电路基础总结

  2. 关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 接口/总线/驱动中的关于MOSFET管驱动电路总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。     1、MOS管种类和结构     MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：149504
    • 提供者：weixin_38703906

  1. 开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

  2. 结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：223232
    • 提供者：weixin_38596267

  1. 详细讲解MOSFET管驱动电路

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 本文对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38599231

  1. 单片机与DSP中的P通道MOSFET管和和双电源监测电路

  2. 采用P通道MOSFET功率管作为电源分配开关，双电源监测电路控制系统的上电和掉电顺序。这种方法同上面采用电源分配开关和双电源监测电路相似，只是采用MOSFET作为电源分配开关。其结构原理如图所示。 　　图 P通道MOSFET管和和双电源监测电路电源次序控制原理图 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38654944

  1. 单片机与DSP中的采用P通道MOSFET管和电源监测电路

  2. 如果选用没有稳定状态输出（PG）功能的DC/DC，则可以外部增加1个电源监测（SVS）器件实现PG的功能，同时使 用P通道MOSFET管作为电源分配开关实现上电次序的控制，如图1所示。 　图1 采用P通道MOSFET管和输入电源监测电路 　　在上电过程中，I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上，外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。 DC/DC模块为DSP内核（或多个DSP）以及系统电路供电，根据需要可以选用线性电源也可以选用开关电源。采用电 源监测的方法，在外部输人3.3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38692928

  1. 单片机与DSP中的采用P通道MOSFET管和具有稳定标识的DC/DC

  2. 这种方法相对其他方法具有原理简单、增加辅助器件少的特点，通过采用P通道MOSFET管和具有稳定标识输出的 DC/DC电源模块来实现。P通道MOSFET管作为电源分配开关，DC/DC的电源的稳定状态输出引脚（PG：低电平表示电 源达到理想值）作为电源分配开关的控制信号，控制DSP的I/O供电，如图1所示。 　　在上电过程中，I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上，外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只 有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时，才会接通外部I/O电源，保证了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38706007

  1. PAM公司研发出内置MOSFET管的高功率LED驱动器

  2. PAM(Power Analog Microelectronics)公司是一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司，日前发布了该公司第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器，这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 　　PAM2842 产品是在中国深圳举行第五届国际半导体照明论坛的同时发布的。PAM2842具有从5.5V 到 40V很宽的输入　　电压范围，它是一个非常灵活的LED驱动器可以工作于升压、降压、升降压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38553648

  1. PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842

  2. PAM(Power Analog Microelectronics)公司, 一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发布她的第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 　　PAM2842 产品是在中国深圳举行第五届国际半导体照明论坛的同时发布的。PAM2842具有从5.5V 到 40V很宽的输入电压范围，它是一个非常灵活的LED驱动器可以工作于升压、降压、升降压（SE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38741075

  1. 元器件应用中的MOSFET管并联应用

  2. MOSFET 管并联工作时,需要考虑两个问题: 　　1) 满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡. 　　2) 通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡. 　　在并联工作的情况下,无论是静态还是动态情况,如果一个 MOSFET 管分担了相对较多的电流,它发热将会更厉害,很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患. 　　静态电流分配不均衡是由于并联器件的 Rds 不相等引起的. Rds 较低的器件分担了比平均值更大的电流.由于 MOSFET 管的 Rds 具有正的温度系数,所以 MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38621150

  1. MOSFET管的安全工作区

  2. 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是也是容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 　　一、什么是安全工作区？ 　　安全工作区：SOA（Safe operating area）是由一系列（电压，电流）坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲，只要器件工作在SOA区域内就是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38584148
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