点数信息
www.dssz.net
注册会员
|
设为首页
|
加入收藏夹
您好,欢迎光临本网站!
[请登录]
!
[注册会员]
!
首页
移动开发
云计算
大数据
数据库
游戏开发
人工智能
网络技术
区块链
操作系统
模糊查询
热门搜索:
源码
Android
整站
插件
识别
p2p
游戏
算法
更多...
在线客服QQ:632832888
当前位置:
资源下载
搜索资源 - MOSFET选型
下载资源分类
移动开发
开发技术
课程资源
网络技术
操作系统
安全技术
数据库
行业
服务器应用
存储
信息化
考试认证
云计算
大数据
跨平台
音视频
游戏开发
人工智能
区块链
在结果中搜索
所属系统
Windows
Linux
FreeBSD
Unix
Dos
PalmOS
WinCE
SymbianOS
MacOS
Android
开发平台
Visual C
Visual.Net
Borland C
CBuilder
Dephi
gcc
VBA
LISP
IDL
VHDL
Matlab
MathCAD
Flash
Xcode
Android STU
LabVIEW
开发语言
C/C++
Pascal
ASM
Java
PHP
Basic/ASP
Perl
Python
VBScript
JavaScript
SQL
FoxBase
SHELL
E语言
OC/Swift
文件类型
源码
程序
CHM
PDF
PPT
WORD
Excel
Access
HTML
Text
资源分类
搜索资源列表
功率MOSFET选型的几点经验
功率MOSFET的分类及优缺点 功率MOSFET的选型 。。。。。。。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-01-12
文件大小:107520
提供者:
waiyu
MOSFET的型号选择
朋友发给我一个文件,资料介绍比较齐全,与同志们分享下,希望有用
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-02-04
文件大小:119808
提供者:
HWB0573
How to read MOSFET datasheet
该文是讲如何阅读MOS管的DATASHEET,可以指导如何进行MOSFET管的选型
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-12
文件大小:185344
提供者:
qydf1979
NEC_MOSFET选型
1.MOSFET的特点和结构 2.NEC分立MOSFET 特点 3.MOSFET的应用和新产品系列 4.分立MOSFET系列 5.开发战略 6.供货服务 7.VDSS= 12V到30V系列 8A)导通阻抗减小的趋势 B)封装的发展趋势 C)导通阻抗改良的新方法 D)用于背光灯逆变器开发的TO252/TO263N沟道单管产品 E)8pin SOP/8pin HSOP/8pin HVSONVDSS= 30V的N沟道单管系列 F)8pin SOP,VDSS= 30V的N沟道双管系列 G)内置肖特基二
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-07-19
文件大小:1048576
提供者:
liangcao2
国外MOSFET管参数对照手册
常用的功率MOSFET管的参数对照代换表,对管子选型或者替换有一定帮助
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-12-03
文件大小:193536
提供者:
athena6174
AO MOSFET SELECTOR
AO MOSFET 选型手册 ,最新最全AO MOSFET 选型手册 ,最新最全AO MOSFET 选型手册 ,最新最全AO MOSFET 选型手册 ,最新最全
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-06-14
文件大小:1048576
提供者:
pengcong2009
MOSFET选型教程
MOSFET选型教程,适用于各阶段电子工程师参考,文档讲的比较详细,是难得的资料。
所属分类:
讲义
发布日期:2015-03-04
文件大小:2097152
提供者:
qq_26311407
MOSFET选型所需要注意的参数
MOSFET选型所需要注意的参数,此文档详细介绍了MOSFET选型需要注意的参数
所属分类:
硬件开发
发布日期:2015-07-29
文件大小:357376
提供者:
wutao22
MOSFET选型手册(ALPHA-&-OMEGA).xls
ALPHA和OMEGA厂家MOSFET参数表。有两家基本上所有的MOSFET参数。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2019-10-11
文件大小:3145728
提供者:
zhoulin1989
MOSFET型号大全
文档包含硬件电路几乎所有mos管选型,包含全面,内部资料
所属分类:
硬件开发
发布日期:2015-11-04
文件大小:250880
提供者:
qq_15469939
mosfet型号大全
mosfet型号大全,封装形式,提供价格、参数包括开启、延迟时间等,比较全,非常适合电路设计选型。
所属分类:
制造
发布日期:2012-02-12
文件大小:250880
提供者:
ssfangel
同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?
本文以最基础一种同步整流降压式变换器电路系统为例,来进行MOSFET的选型分析和介绍。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-22
文件大小:52224
提供者:
weixin_38692184
关于功率因数校正应用的MOSFET选型
本设计指南的目的是帮助设计工程师在其功率因数校正(PFC)设计中实现尽可能高的MOSFET效率。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-26
文件大小:67584
提供者:
weixin_38648800
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-15
文件大小:207872
提供者:
weixin_38727579
MOSFET的选型及应用概览
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展,功率MOSFET更是备受关注。本期半月谈将会从基础开始,探讨MOSFET的一些基础知识,包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等;最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:453632
提供者:
weixin_38749305
元器件应用中的MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电 荷存储效应;另外MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性 能。MOSFET已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:182272
提供者:
weixin_38502292
电源技术中的变频器的控制方式及应用选型
1.引言 变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后,电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程,器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。20世纪70年代开始,脉宽调制变压变频(PWM-VVVF
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:114688
提供者:
weixin_38743506
在电路设计中 电源器件如何选型?
在时,常用的电源器件无外乎两种,DC/DC和LDO。LDOLDO是一种低压差线性稳压器,或者叫低压降器件,说明它一般用于需要降压的场合,具有成本低,噪音低,静态电流小等优点。它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平,主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET。P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流,所以大大降低了器件本身消耗的电流。另外,P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小,因而
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:54272
提供者:
weixin_38593723
10步法则教你MOSFET选型
俗话说“人无远虑必有近忧”,对于电子设计工程师,在项目开始之前,器件选型之初,就要做好充分考虑,选择适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们常用的器件之一了,但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则,相信看完你会大有收获。 1、功率MOSFET选型步:P管,还是N管? 功率MOSFET有两
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:114688
提供者:
weixin_38631182
MOSFET四步选型+应用解析
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。 MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电 荷存储效应;另外MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性 能。MOSFET已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:197632
提供者:
weixin_38703906
«
1
2
»