注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. an-799+MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

  2. 本文详细的讲述了 an-799+MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-08-06
    • 文件大小：361472
    • 提供者：xiaosong757

  1. MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计

  2. MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-10-31
    • 文件大小：361472
    • 提供者：wu231125

  1. MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计应用笔记

  2. MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计应用笔记

  3. 所属分类：硬件开发

  1. MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计.pdf

  2. 当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进 步日新月异。要根据MOSFET 的电压/ 电流或管芯尺 寸，对如何将 MOSFET 驱动器与 MOSFET 进行匹配进 行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-09-27
    • 文件大小：809984
    • 提供者：qweasdis123

  1. Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

  2. 导读：近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 　　VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 　　除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38688820

  1. 智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能的设计方案

  2. 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：159744
    • 提供者：weixin_38538264

  1. Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。此次发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和0.5A，具有最宽的工作电压和很高的环境工作温度，其低功耗特性能够实现更好的热管理，以及在马达驱动、电磁炉、电源和其他高电压应用中实现更灵活的设计。 　　VO3120和VO3150A都带有一个与集成电路光学耦合的LED，功率输出级的操作电压范围是15V～32V，输出电流分别可达2.5A和0

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38597990

  1. 元器件应用中的针对应用选择正确的MOSFET驱动器

  2. 目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。 　　从功能上讲，MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流，以很短的响应时间驱动MOSFET栅极的开和关。例如，使用MOSFET驱动器可以将一个5V、低电流的单片机输出信号转变成一个18V、几安培的驱动信号来作为功率MOSFET的输入。针对应用选择正确的MOSFET驱动器，需要对与MOSFET栅极电荷和工作频率相关的功耗有透彻的理解。例如，不管栅极电压的转变快或慢，MOSFET栅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38526979

  1. Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器

  2. Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以及单电感升降压拓扑结构，并将地电位作为输出电压的参考点，从而使设计人员避免了采用SEPIC结构带来的成本和设计复杂度。 　　MAX15054可提供2A驱动电流，具有极低(12ns，典型值)的传输延时和较短的上升、下降时间。器件的双UVLO (欠

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38518006

  1. 凌力尔推出高速同步 MOSFET 驱动器

  2. 凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。 　　LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5A 电流和提供 3.2A 电流，从而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38724247

  1. 安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器

  2. 全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率。　　NCP4330为串联FET和续流同步FET驱动输出，提供比通常使用的硅整流器更高的效率。此器件与传统磁放大器控制电路解决方案相比，它更为小巧，性价比更高。能有效的从5V 功率序列产生3.3V或其他输出，但电源的变压器上无需额外的绕组和终端。次级交流（A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 微芯科技推出极佳抗锁定性能单输出MOSFET驱动器

  2. 微芯科技宣布推出MCP1401及MCP1402(MCP140X)单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402 MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0.5A，工作电压范围则宽达4.5V至18V。这些器件兼具极佳的抗锁定性能，采用微型2 x 3mm DFN和5引脚SOT-23封装。 　　由于MCP140X MOSFET驱动器所采用的封装极为小巧，设计人员可把栅极驱动器安装在靠近MOSFET物理栅极连接的位置，从而降低由寄生印刷电路板布局引起的栅极弹跳，同时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38562085

  1. FAN3XXX系列高速低端MOSFET驱动器概述

  2. FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品，是一种高速低端MOSFET驱动器系列。 　　该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率开关电源。根据驱动器的通道数、输出电流大小，有不同的封装及型号，可满足各种开关电源的大小结构及不同输出功率的需要，如表1所示。 表1 FAN3XXX型号列表 　　主要特点 　　FAN3XXX系列主要特点： 　　1 速度高 　　FAN3XXX在2.2nF负载时，输入90%到输出10%的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：277504
    • 提供者：weixin_38729336

  1. 安森美新推四款MOSFET驱动器，面向中低功率应用

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。 　　这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围，并能工作在高达600伏(V)的输入电压，减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗扰度，并兼容于3.3 V和5 V输入逻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38628243

  1. Maxim推出高速单/双通道MOSFET驱动器MAX15024/15025

  2. Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、单/双通道MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装。MAX15024是单通道栅极驱动器，能够吸入8A峰值电流、源出4A峰值电流。MAX15025是双通道栅极驱动器，能够吸入和源出高达4A的峰值电流。两款器件的通道间传输延时匹配的典型值为2ns，器件之间的传输延时匹配通常小于17ns。器件内置可调节LDO，用于栅极驱动振幅控制和优化。MAX15024/MAX15025是功率MOSFET开关、发动机控制和结构紧凑的高频开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38606404

  1. Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步稳压器，以用作降压或升压型DC/DC转换器。 　　这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流并提供高达2.4A的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4443/-1还可以为较大电流应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38631331

  1. Maxim推出内置可调节LDO的单/双通道MOSFET驱动器

  2. Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、单/双通道MOSFET驱动器，采用3mmx3mm、增强散热的TDFN封装。MAX15024是单通道栅极驱动器，能够吸入8A峰值电流、源出4A峰值电流。 　　MAX15025是双通道栅极驱动器，能够吸入和源出高达4A的峰值电流。两款器件的通道间传输延时匹配的典型值为2ns，器件之间的传输延时匹配通常小于17ns。器件内置可调节LDO，用于栅极驱动振幅控制和优化。MAX15024/MAX15025是功率MOSFET开关、发动机控制和结构紧凑的高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38716423

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步稳压器，以用作降压或升压型DC/DC转换器。 　　这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流并提供高达2.4A的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4443/-1还可以为较大电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38651540

  1. Linear推出LTC4443/-1高速同步MOSFET驱动器

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步电源|稳压器，以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38751905

  1. Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446

  2. 凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 　　这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38700240
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 32 »