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  1. Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

  2. Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：454656
    • 提供者：weixin_38548231