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  1. N3-掺杂对SiO2：Ce纳米材料发光性能的影响

  2. N3-掺杂对SiO2：Ce纳米材料发光性能的影响，徐光青，郑治祥，分别采用化学掺杂和气氛控制方法对溶胶-凝胶法制备的SiO2：Ce纳米发光材料进行阴离子（N）掺杂，并采用透射电镜（TEM）、X射线光电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：238592
    • 提供者：weixin_38698403