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搜索资源列表

  1. TureFFS 技术介绍

  2. TureFFS 是M-Systems 公司的独有专利技术，最初是为VXWorks 操作系统所作的定制实现，本文能对F FD 产品所具有的各项高性能的参数来源做出说明，也说明在Flash 的存储系统中，TrueFFS 所起到的关键作 用。结合“NOR 和NAND 技术详解和比较”，大家能对FFD 产品有一个较深入的认识

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-07-19
    • 文件大小：59392
    • 提供者：robinhand8412

  1. BREW开发技术文档

  2. QUALCOMM平台BUIW开发文档 前言 11 认识手机的的存储区间 11  手机系统的组成 11  NOR 11  RAM 12  NAND 12  什么是BootLoader? 12  BootLoader 12  引导系统启动 13  下载BIN文件 13  关机充电 13  如何下载BootLoader 13  应用BIN数据区存在哪里？ 13  BIN文件数据区 13  一般文件数据保存在哪里？ 13  EFS文件系统数据。 13  NAND的数据存储

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2009-10-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：ada_0308

  1. NAND Flash驱动程序设计

  2. 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。与NOR相比,NAND闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-08-20
    • 文件大小：258048
    • 提供者：vivier001

  1. nand flash 完美解释

  2. 一篇介绍nand flash技术参数、组织方式、技术指标等等的好文章！

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-05-31
    • 文件大小：478208
    • 提供者：raffaellosanzio

  1. 【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 v1.7

  2. 1 正文之前 5 1.1 目的 5 1.2 目标读者和阅读此文的前提 5 1.3 说明 5 1.4 声明 5 2 编写驱动之前要了解的知识 6 2.1 一些相关的名词的解释 6 2.2 硬件特性 8 2.2.1 什么是Flash 8 2.2.2 什么是Nand Flash 8 2.2.3 SLC和MLC的实现机制 10 2.2.4 Nand Flash数据存储单元的整体架构 11 2.2.5 Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构 12 2.2.6 Flash名称的由来 13 2.2

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2011-07-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：crifan

  1. nand flash技术资料

  2. nand flash技术资料~~~~全面了解flash

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yongan1006

  1. Telechips TTC89XX技术指导文档

  2. 都是关于底层这块的指导文档，对于学习Android on TTC芯这块，是很有指导意义的 1 Android-ALL-V0.01E-How to Change LCD DPI.pdf 2 Android-ALL-V0.01E-How to change log.pdf 3 Android-ALL-V0.02E-How to Use LVDS.pdf 4 Android-V1.01E-App install on device's external storage Guide.pdf 5 TCC

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2012-06-09
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weitao2007

  1. nand flash简明自学资料——助您理解datasheet重点

  2. 有关nand flash的入门基础，内容包括一般的技术常识、基本操作指令和时序图讲解，有助于理解datasheet上跟编程操作有关的重点知识。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-08-01
    • 文件大小：282624
    • 提供者：xiaolin8002x

  1. nand flash 详解

  2. nand flash 驱动 开发技术

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2012-11-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：harder521

  1. 闪存控制器设计技术介绍

  2. 系统介绍NAND Flash和其控制器的设计关键考虑因素。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-09-15
    • 文件大小：739328
    • 提供者：dwolfbj

  1. FAT文件系统在NAND Flash存储器上的改进设计FAT文件系统在NAND Flash存储器上的改进设计

  2. 　　NAND Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件，容易出现位反转现象，同时在使用中可能会有坏损单元。数据写入必须在李白的区块或者擦除后的区块巾进行，其底层技术要求以块为单位进行擦除(将“Oxff”写入到要擦除的存储块中)，再按页写入。Flash存储器的擦除次数是有限的，一般是100000次。当某块执行过度的擦除操作后，这一块的存储空间将会变为“只读”状态，不能再写入数据。根据以上特点，为了避免某些块的过度操作，而导致存储卡使用寿命降低，设计专门针对Flash存储器的文件系统是必要的

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：225280
    • 提供者：xxxiun

  1. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别

  2. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别 NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术( non‐volatile computer storage)。 Intel 于1988 年首先开发出NOR flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下 的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更 高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多 的硬件工程师分不清NOR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-11-19
    • 文件大小：276480
    • 提供者：kelele2008

  1. 镁光最新的ONFI3.0 Nand Flash技术手册，最高1T容量 (Newest manual of Micro ONFI3 Nand Falsh)

  2. 镁光最新的ONFI3.0 Nand Flash技术手册，最高1T容量 (Newest manual of Micro ONFI3 Nand Falsh)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2017-10-20
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：figgertive

  1. 闪存技术现状及其发展前景分析.pdf

  2. 主要介绍闪速存储器的特点、技术分类及其发展趋势,其中包括闪速存储器的制造工艺、供电、读写操作、擦除次数、功耗等性能比较。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-01-01
    • 文件大小：235520
    • 提供者：cuizengwang

  1. 凭借 BiCS5 3D NAND 技术，西部数据进一步增强其存储领域领导优势

  2. 西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功开发第五代 3D NAND 技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5 基于 TLC 和 QLC 技术构 建而成，以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数 据呈现指数级增长的当下，BiCS5 成为了理想的选择。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-07
    • 文件大小：506880
    • 提供者：weixin_38703123

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的一种SD卡上FAT32文件系统数据读取

  2. SD卡（secure digital memory card，安全数码卡）是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，它被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、个人数码助理（PDA）和多媒体播放器等。SD卡由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。大小犹如一张邮票的SD记忆卡，重量只有2 g，但却拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。 　　SD 卡在24mm×32mm×2.1mm的体积内结合了SanDisk快闪记忆卡控制与MLC（Mult

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：257024
    • 提供者：weixin_38644141

  1. 存储/缓存技术中的SSD容量突破关键：3D存储芯片大揭秘

  2. 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel &  Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，Intel的技术人员在会议上具体揭示了Intel 3D  NAND的计划以及一些技术上的细节。　　　　这场会议在深圳JW万豪酒店举行，参与会议的有相当多的业内朋友。来自Intel美国的产品工程经理Todd Myers，NAND产品交易开发工程师Todd  Myers也都给在座的朋

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：190464
    • 提供者：weixin_38628612

  1. 恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

  2. 恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。 　　根据新协议，恒忆和海力士将扩大联合开发的范围，共同提供领先的NAND存储器技术和产品，并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域，双方也将进行合作。 　　恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示：“未来五年，在NAN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38621082

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的拥有快速写入和超高集成性能的下一代数据存储解决方案

  2. 全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion日前宣布计划开发下一代数据存储产品系列，MirrorBit:registered: ORNAND:trade_mark:架构。基于Spansion专有电荷捕获技术的新型MirrorBit ORNAND2:trade_mark:架构将在连接于NAND存储器阵列中采用类似SONOS的45nm存储单元，具有快速写入和高封装密度的特点－－将NAND技术的性能和成本优势与300mm晶圆的成本结构优势发挥到最佳。 　　基于新型架构的产品将主要面向集成闪存市场中的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38690376

  1. 闪速存储器技术现状及发展趋势

  2. 摘要 主要介绍闪速存储器的特点、技术分类及其发展趋势,其中包括闪速存储器的制造工艺、供电、读写操作、擦除次数、功耗等性能比较。 　　关键词 闪速存储器 NOR技术 DINOR技术 NAND技术 UltraNAND技术 一、  闪速存储器的特点 　　闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 　　Flash Mem

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：234496
    • 提供者：weixin_38727087
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