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搜索资源 - NAND闪速存储器的ID读操作
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STM32F10xxx参考手册
目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3.4 CRC寄存器 35 3.4.1
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-10-17
文件大小:12582912
提供者:
lhlvictory
STM32F10xxx参考手册
STM32F10xxx rev7v3参考手册. 南京万利提供的原始翻译文档. 本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准。请读者随时注意在ST网站下载更新版本. 本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准。请读者随时注意在ST网站下载更新版本 目录 1 文中的缩写 16 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 16 1.2 术语表 16 1.3 可用的外设 16 2 存储器和总线构架 17 2.1 系统构架 17 2.2 存储器组织 18 2.3 存储器映像 19 2.3.1 嵌入式SR
所属分类:
C
发布日期:2009-04-13
文件大小:6291456
提供者:
tyt_xa
NAND闪速存储器的ID读操作
ID代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称/器件型号而设置的。ID读指令用于读取该ID代码。 图1图示了ID读操作的流程。图2图示了发送ID读指令的操作。 图1 ID读指令的躁作流程 图2 ID读指令的操作 在读取ID时,发送ID读指令(90h)之后,写人00h作为地址。由于90h是指令,所以虽然将OLE设为有效(高电平),但由于紧跟着的00h是地址值,所以CLE无效(低电平),而ALE有效(高电平)。 完成这样的流程后,通过下面2次的读取,可以
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:79872
提供者:
weixin_38598213