注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 有关CPU供电NMOS自举驱动电路设计

  2. 本文件讲叙了CPU中有关NMOS自举电路的设计

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-09
    • 文件大小：492544
    • 提供者：chliken

  1. MOS逻辑门、NMOS管的开关特性

  2. MOS逻辑门、NMOS管的开关特性、NMOS反相器、NMOS或非门

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：smartling

  1. NMOS管仿真电路

  2. NMOS管仿真电路proteus，认识最基本的电路

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-11-12
    • 文件大小：14336
    • 提供者：xiaoxiaohe99

  1. NMOS和PMOS识别

  2. 文章中通过图示说明NMOS和PMOS识别，形象的展示了NMOS和PMOS的电流流向。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-08-11
    • 文件大小：569344
    • 提供者：weixin_41990278

  1. PNP+NMOS用于充电的原理解释.pdf

  2. MT2503和展讯SL8521E线性充电方案，都需要外部的PNP+NMOS芯片配合。MT2503搭配WILL的WPT2N32，SL8521E搭配WILL的WTP2N31。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：406528
    • 提供者：aircity123

  1. NMOS和PMOS有什么区别？.pdf

  2. NMOS和PMOS有什么区别？pdf,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。在GS,GD之间存在寄生电容,而MS管的驱动,实际上就是对电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：206848
    • 提供者：weixin_38744207

  1. NMOS与PMOS LDO的概述

  2. To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：531456
    • 提供者：jrdshhw

  1. nmos与pmos LDO 的区别

  2. To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：531456
    • 提供者：jrdshhw

  1. nmos转移特性曲线hspice程序——nmos_tcc.sp

  2. nmos的转移特性曲线hspice程序 用于基础学习hspice仿真的新手 完美运行

  3. 所属分类：电信

  1. NMOS和PMOS有什么区别

  2. 本文主要讲了nmos和pmos有什么区别，希望对您的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38631599

  1. nmos高端驱动自举电路

  2. 一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：230400
    • 提供者：weixin_38668225

  1. 一种基于NMOS三极管的双向电平转换电路设计

  2. T1、T2为分立的NMOS三极管，s为源极，d为漏极，g为栅极。Rp为上拉电阻，一个连接在s,g之间；另一个连接d与VDD2。g端连接VDD1。电路工作时，要求VDD1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38695471

  1. NMOS基本逻辑电路分析

  2. 本文主要简单介绍了NMOS的基本逻辑电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38610513

  1. 深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

  2. 为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：324608
    • 提供者：weixin_38685600

  1. 基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

  2. 摘 要：由于PD SOI工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：346112
    • 提供者：weixin_38607088

  1. 一种基于动态阈值NMOS的1．2V CMOS模拟乘法器

  2. 分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管，利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1．2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路，以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到：一、三次谐波差值40 dB，输出信号频带宽度375 MHz，平均电源电流约30μA，动态功耗约36μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38742532

  1. 工业电子中的立迪思新推两款LDO控制器，用于驱动NMOS或NPN旁路晶体管

  2. 立迪思科技有限公司(Leadis Technology, Inc.)日前宣布已可供应LDS124P及LDS128P新产品的测试样品。该两款LDO控制器专为驱动NMOS或NPN旁路晶体管而设计。立迪思主要开发适用于消费类电子设备产品，包括彩色显示屏驱动器、能源管理、LED驱动器及音响集成电路的模拟及混合信号半导体器件。 　　LDS124P及LDS128P与立廸思现有的LDS120P LDO控制器相互配合，为图像显示卡、PC母板、供电开关后级稳压、电信设备、LCD电视等消费类电子产品的应用提供全面

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38519660

  1. 电源技术中的TI推出无电容NMOS低压降线性稳压器TPS731125

  2. TPS731xx 系列低压降 (LDO) 线性稳压器采用新型拓扑：电压输出器配置中包含 NMOS 导通元件。该拓扑在使用外部电容器的情况下非常稳定，且具有低 ESR 特性，甚至可以在无电容器的情况下工作。 该器件还具有较高的反向阻断电流（低反向电流）及接地引脚电流，输出电流的各项值几乎均保持恒定。　　TPS731xx 系列器件采用高级 BiCMOS 工艺，在实现极低压降电压与接地引脚电流的同时可以达到较高的精度。其未启动状态下的电流消耗不足 1A，因此非常适合便携式应用。由于输出噪声极低（CNR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 远翔推出单组内建P+NMOS的DC/DC同步转换IC

  2. 远翔科技(Feeling Technology)推出单组内建P+NMOS的DC-DC同步转换IC——FP6160，FP6160采用低脚数TSOT-25封装，IC本身属于低压+2.5V到+5.5V的操作电压范围，内部PWM工作频率达1.5MHz，同时内部有电源|稳压器软启动、过电流限制及过温保护等功能，并以电流回授控制及内建补偿网络方式减少客户端应用调整负载动态响应不易等问题，其用法及线路设计如同高效率LDO般使用，并有致能(ENABLE)输入接脚可用于电源开关、电源时序或单纯让IC进入低耗电状态

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38711008

  1. 基于NMOS晶体管补偿dVGS的具有高PSRR的芯片面积有效的亚阈值CMOS电压基准

  2. 基于NMOS晶体管补偿dVGS的具有高PSRR的芯片面积有效的亚阈值CMOS电压基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38644599
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16 »