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搜索资源列表

  1. TureFFS 技术介绍

  2. TureFFS 是M-Systems 公司的独有专利技术，最初是为VXWorks 操作系统所作的定制实现，本文能对F FD 产品所具有的各项高性能的参数来源做出说明，也说明在Flash 的存储系统中，TrueFFS 所起到的关键作 用。结合“NOR 和NAND 技术详解和比较”，大家能对FFD 产品有一个较深入的认识

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-07-19
    • 文件大小：59392
    • 提供者：robinhand8412

  1. BREW开发技术文档

  2. QUALCOMM平台BUIW开发文档 前言 11 认识手机的的存储区间 11  手机系统的组成 11  NOR 11  RAM 12  NAND 12  什么是BootLoader? 12  BootLoader 12  引导系统启动 13  下载BIN文件 13  关机充电 13  如何下载BootLoader 13  应用BIN数据区存在哪里？ 13  BIN文件数据区 13  一般文件数据保存在哪里？ 13  EFS文件系统数据。 13  NAND的数据存储

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2009-10-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：ada_0308

  1. NOR和NAND_Flash存储器的区别

  2. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-12-23
    • 文件大小：31744
    • 提供者：oljkrui

  1. NOR FLASH存储扩展技术

  2. NOR FLASH存储扩展技术 描述可NOR FLASH S29GLXXN系列 FLASH控制及操作

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：135168
    • 提供者：puma0329

  1. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别

  2. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别 NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术( non‐volatile computer storage)。 Intel 于1988 年首先开发出NOR flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下 的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更 高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多 的硬件工程师分不清NOR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-11-19
    • 文件大小：276480
    • 提供者：kelele2008

  1. 闪存技术现状及其发展前景分析.pdf

  2. 主要介绍闪速存储器的特点、技术分类及其发展趋势,其中包括闪速存储器的制造工艺、供电、读写操作、擦除次数、功耗等性能比较。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-01-01
    • 文件大小：235520
    • 提供者：cuizengwang

  1. NOR-Flash存储器介绍及编程

  2. NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-08-18
    • 文件大小：234496
    • 提供者：hz04081118

  1. 5g在未来移动技术发展的展望.pdf

  2. 本文是关于5g在即将到来的移动应用技术革命中所扮演的角色的和可能突破前景，对立志未来开发创新5g应用的从业者有帮助。GSMA Intelligence Understanding 5G Executive summary 5G offers enormous potential for both consumers and industry As well as the prospect of being considerably faster than existing technologie

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-05
    • 文件大小：605184
    • 提供者：testjimmy

  1. 基于TMS320C6678的多核DSP上电加载技术

  2. 对于多核DSP应用技术来说，BootLoad技术是一个关键点，也是应用难点之一。针对8核高性能DSP——TMS320C6678的根配置问题进行了研究，包括上电加载过程，单核和多核的emif NOR-FLASH存储器的映像文件的产生，二级加载器的编写和FLASH编程器的构成等。其中，关键是在多核映像文件中，将辅助核的入口地址作为特殊数据来处理，使其他核触发更容易，这也是其他文献未涉及的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-31
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38672807

  1. PCB技术中的e络盟针对安全应用推出恩智浦Freedom K82F开发板

  2. e络盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F开发板，进一步丰富其面向基于ARM Cortex-M4内核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器的Freedom开发板库存。 　　K8x系列开发板集成了Kinetis系列微控制器，专为安全应用的开发而设计，具备多种先进的安全特性，包括使用引导ROM进行加密固件升级、外部串行NOR闪存自动解密、拥有边带攻击防护功能的AES硬件加密引擎及公钥加密硬件支持。只要与前代Kinetis M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38699724

  1. DSP中的基于TMS320C6678的多核DSP上电加载技术

  2. 在视频检测、医疗影像及红外图像快速跟瞄系统应用中，越来越复杂的二维、三维甚至四维的图像处理，需要并行化的处理系统，并能够运行复杂的算法。要实现这些复杂的系统，高端FPGA+高性能DSP是目前普遍采用的方案，而单个DSP的性能已发展至极限，所以解决复杂的并行算法，多核DSP是现在发展的全新方向，其中多核DSP的根加载技术是其难点之一。 TI公司推出的DSP芯片TMS320C6678(C6678)具有8个内核的高性能DSP，每个内核工作频率均达1 GHz。 其支持的Boot

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38747815

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的赛普拉斯低引脚数HyperRAM™存储器简化嵌入式系统的设计

  2. 美国加利福尼亚州圣何塞，2016年7月6日 —嵌入式系统解决方案领域的领导者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票交易代码：CY）今日宣布其基于低引脚数HyperBus:trade_mark:接口的全新高速自刷新动态RAM（DRAM）现开始提供样片。该款64Mb HyperRAM:trade_mark:可用作汽车、工业和消费等各类应用的外置便笺式存储器，用于渲染高分辨率图形或运行数据密集型固件算法。该器件 拥有高达333 MBps的读写带宽，并支持3V和1.8V供电电压。 　　与赛普拉斯的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38601499

  1. 存储/缓存技术中的Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

  2. 什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。 　　闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 　　与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38731979

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的支持H.264高清编解码器的片上系统MG3500方案

  2. 1 引言 　　为了满足消费类和工业H.264编码器要求，以下就是我们给出的一种支持H.264高清编码器的片上系统MG3500应用设计和相关应用。 　　2 MG3500 SoC简介 　　MG3500 SoC其内部集成有嵌入式ARM9处理器、NAND／NOR闪存、SD／SDIO／MMC／CE-ATA接口、10／100／千兆以太网的MAC和USB2.0 OTG端口，以及基于可靠的互联网的AES／SHA加密算法、UART、JTAG、串行控制和通用I／O。240 MHz ARM9处理器包含DSP扩展和各1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：163840
    • 提供者：weixin_38686267

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的恒忆下一代存储推动医疗电子设计

  2. "在医疗电子应用中，质量和可靠性非常重要。此外，不同的应用对闪存的要求都不相同，如引导代码存储需要高可靠性、应用程序存储需要高读写性能、数据日志记录需要擦写次数、海量数据存储需要高密度……"在日前举办的第三届中国国际医疗电子技术大会（CMET2010）上，恒忆嵌入式系统事业部亚洲市场部业务拓展经理祁峰为我们带来了医疗应用市场对闪存的要求以及恒忆存储器技术的介绍。   恒忆嵌入式系统事业部亚洲市场部业务拓展经理祁峰在CMET2010上   　　祁峰介绍，恒忆利用业界领先的硅技术和封装技术开发出了多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38713057

  1. 模拟技术中的基于FPGA的闪存存储器

  2. 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PD

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38673909

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的浅谈嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用

  2. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38622827

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的浅谈NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发

  2. 引 言 　　随着嵌入式系统的迅速发展，其应用环境的广泛性，复杂性对构建于系统上的Nor和Nand闪存设备提出更高要求，需要闪存设备传输速度更快，体积更小，容量更大，稳定性更好。Flash 是一种创作工具，设计人员和开发人员可使用它来创建演示文稿、应用程序和其它允许用户交互的内容。Flash 可以包含简单的动画、视频内容、复杂演示文稿和应用程序以及介于它们之间的任何内容。通常，使用 Flash 创作的各个内容单元称为应用程序，即使它们可能只是很简单的动画。您也可以通过添加图片、声音、视频和特殊效果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：491520
    • 提供者：weixin_38610573

  1. 通信与网络中的Intel无线技术解决方案问答

  2. Intel无线技术解决方案问答 ChinaECNet Online Seminar on Intel Wireless Solution 问：Intel 在串行存储flash方面有没有产品？ 答：没有。Intel 闪存是根据NOR技术的，支持代码+数据一起存储和XIP。 问：Intel闪存工作电压是多少伏? 答：我们有 3V 和 1.8V Vcc 两种产品。 问：大容量的 Intel Flash 最小封装是多大? 答：128J3 VFBGA 是7.3mmx10.8mm。详情请参阅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38713801

  1. 闪速存储器技术现状及发展趋势

  2. 摘要 主要介绍闪速存储器的特点、技术分类及其发展趋势,其中包括闪速存储器的制造工艺、供电、读写操作、擦除次数、功耗等性能比较。 　　关键词 闪速存储器 NOR技术 DINOR技术 NAND技术 UltraNAND技术 一、  闪速存储器的特点 　　闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 　　Flash Mem

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：234496
    • 提供者：weixin_38727087
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