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  1. NTD4806NT4G的技术参数

  2. 产品型号:NTD4806NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6最大漏极电流Id(on)(A):76通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:30V,76A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-11
    • 文件大小:26624
    • 提供者:weixin_38595690