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  1. NTJS3151PT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJS3151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:12 V, 3.3 A, 功率MOSFET价格/1片(套):¥1.60  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-11
    • 文件大小:26624
    • 提供者:weixin_38629206