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  1. NbSe的电子性质

  2. 这项研究使用密度泛函理论对石墨烯上的NbSe2进行了共识的电子性能分析。 根据要构造的初始系统的方式(从扶手椅,手性或Zig-zag的石墨烯层开始),应预期最终获得不同的电子性能结果。 在初始条件下考虑边缘边缘效应是至关重要的,因为将获得不同的最终结果。 将针对研究中的每种情况提供能带和电荷密度分布图。 对于原始石墨烯,Eg(价带和导带之间的禁带能隙)为0.24 eV(扶手椅),分别获得0.19 eV(手性)和0.13 eV(之字形)。 此外,考虑到结构上的缺陷(空缺),以模拟可以与构建石墨烯-
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-05
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:weixin_38500090