本文研究了外部电场对Ni（001），Ni（111），HfO2（001）和HfO2（111）薄膜功函数的影响以及Ni（001）/ HfO2（基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理研究了001）和Ni（111）/ HfO2（111）界面。 发现所有系统的功函数随外部电场强度线性变化。 比较Ni，HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数变化对外部电场强度的斜率，我们发现Ni / HfO2界面的有效功函数对外部电场的响应取决于HfO2侧对外部电场的响应。