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  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-08-07
    • 文件大小：736256
    • 提供者：youngmanl_ren

  1. JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand+Flash的方法

  2. JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand+Flash的方法 JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand+Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-09-13
    • 文件大小：736256
    • 提供者：tangjinxing163

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-11-16
    • 文件大小：736256
    • 提供者：eli8050

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法.pdf

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法.pdf

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-11-22
    • 文件大小：736256
    • 提供者：hezhengming1985

  1. Error Correction Codes for Non-Volatile Memories_Springer.2008.06.pdf

  2. 书名：用于非易失性存储器的纠错编码。 主要讲述NOR Flash、NAND Flash等存储器件的原理以及在这些器件应用过程中经常采用的纠错编码，例如HAMMING码、BCH码、RS码等。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-01-23
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：gaofong

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  2. 1. 简要说明 JLink的调试功能、烧写Flash的功能都很强大，但是对于S3C2410、S3C2440的Flash操作有些麻烦：烧写Nor Flash时需要设置SDRAM，否则速率很慢；烧写Nand Flash只是从理论上能够达到，但是还没有人直接实现这点。 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410、S3C2440开发板的Nor、Nand Flash的烧写。原理为：JLink可以很方便地读写内存、启动程序，那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去，并运行它，然后使用这个程序

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-04-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：einsteinz

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法.pdf

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-04-20
    • 文件大小：736256
    • 提供者：HIT_Wordsworth

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法.pdf

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-05-03
    • 文件大小：736256
    • 提供者：wzbdy3

  1. s3c2410开发板概述

  2. S3C2410-P型开发板是基于韩国三星ARM9嵌入式处理器S3C2410的一款嵌入式开发平台。系统运行在200M的主频下更能展现极为出色的性能。 核心板体积小，只有5×7CM，提供了CPU、nand flash、nor flash 、Ethernet controller 等资源，系统的可扩展性非常好，可通过200pin引脚引出CPU所有可用资源。甚至包括Ethernet和USB接口，可以将核心系统直接用在别的系统中。 ①资源丰富：在目前市场上的同类产品中是资源最丰富的。 ②扩展性强：模块通

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-05-08
    • 文件大小：515072
    • 提供者：lemonjoice1027

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-05-20
    • 文件大小：736256
    • 提供者：applezhou6699

  1. NAND Flash驱动程序设计

  2. 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。与NOR相比,NAND闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-08-20
    • 文件大小：258048
    • 提供者：vivier001

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410的方法

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-09-02
    • 文件大小：377856
    • 提供者：vanni_yang

  1. Nand Flash、Nor Flash及SDRAM 详解及实验

  2. Nand Flash、Nor Flash及SDRAM 详解及实验，欢迎大家下载学习

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2011-02-24
    • 文件大小：29360128
    • 提供者：zhigege486953

  1. J-link_V7烧写flash

  2. JLink的调试功能、烧写Flash的功能都很强大，但是对于S3C2410、S3C2440的Flash操作有些麻烦：烧写Nor Flash时需要设置SDRAM，否则速率很慢；烧写Nand Flash只是从理论上能够达到，但是还没有人直接实现这点。 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410、S3C2440开发板的Nor、Nand Flash的烧写。原理为：JLink可以很方便地读写内存、启动程序，那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去，并运行它，然后使用这个程序来烧写。

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2011-03-13
    • 文件大小：376832
    • 提供者：rowen800

  1. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法

  2. 这主要是讲怎样用jlink烧写程序到flash（nor或nand）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-03-29
    • 文件大小：602112
    • 提供者：newyher

  1. 半导体存储器与FLASH存储器

  2. 主要讲述了半导体存储器、FLASH存储器的基本知识，以及ROM RAM的区别，NOR FLASH、NAND FLASH的区别

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-27
    • 文件大小：38912
    • 提供者：kg1215

  1. J-LINK V8烧录2440 NAND方法

  2. 使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand_Flash的方法

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-22
    • 文件大小：736256
    • 提供者：bravegen

  1. 从NOR向NAND转变的注意事项

  2. 本文将对那些有兴趣从NOR转向NAND闪存、并希望以最小的风险和较快的上市时间完成这种转变的开发者提供一些建议。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38569722

  1. 嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用

  2. 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-14
    • 文件大小：157696
    • 提供者：weixin_38716556

  1. DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

  2. 内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。 　　存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：506880
    • 提供者：weixin_38652196
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