为了减小多晶硅表面的反射率, 采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面, 分析了激光参数对制绒深度的作用机理, 优选出实验参数：激光功率为15 W, 脉冲频率为25 kHz, 扫描速度为0.9 m/s, 扫描次数为2。利用优选参数验证了制绒孔距对多晶硅片表面反射率的影响, 并通过PC1D软件模拟出不同制绒硅片的开路电压和短路电流。结果表明, 当孔距为30 μm时, 多晶硅表面形成的孔最为紧密, 形貌最好, 其孔密度为1.17×105 counts·cm-2, 表面反射率为6.95%, 多晶硅电池
