在高速时钟电路中，尤其要注意元件的RF去耦问题。究其原因，主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模RF的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率，这样可选择一个自激频率在10～30 MHz，边沿速率是2 ns或者更小的电容。同理可知，由于许多PCB的自激范围是200～400 MHz，当把PCB结构看做一个大电容时，可以选用适当的去耦电容，增强EMI的抑制。表5－1和表5－2所示给出了电容选择方面有用的数据。从这两个表中，可以知道由于引