崔增文1，何山虎1 ，陈弘达2，毛陆虹2，高建玉 1 （1.兰州大学微电子研究所，甘肃 兰州 730000 ；2.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京 100083) 摘要：从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。 关键词：CMOS工艺；特征频率 fT； 单片系统SoC；短距离并行光传输系统VSR；多项目晶圆MPW 中图分类号：TN432 文献标识码：A 文章编号：1003-