金属探测报警器的电路原理： 　　金属探测报警器的电路如图所示，其核心元件是一块CMOS六反相器数字集成电路A(I~VI)。在这个电路里，反相器I和II都作为放大器来使用。 　　金属探测器的探头是一只高 Q值的电感器L，它与反相器I及电容器C1~C3构成了一个电容三点式振荡器，振荡频率约为27KHZ。调节电位器RP，可使电路处在刚刚起振的状态下。平时，微弱的振荡信号通过由反相器II和电阻器R1组成的放大电路进行放大，再由二极管VD1进行整流，使反相器III的输入端始终处于低电平，经过反相器II

所谓CMOS (Complementary MOS)，是在集成电路设计中，同时采用两种MOS器件：NMOS和PMOS，并通常配对出现的一种电路结构。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路，尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结构的主要优点是电路的静态功耗非常小，电路结构简单规则，使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路。 下图为CMOS结构的剖面示意图，为了能在同一硅材料(Wafer)上制作两种不同类型的MOS器件，必须构造两种不同类型的衬底，图中所

Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应，它会导致VDD和VSS短路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期CMOS技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解电路设计技巧之后，这种效应已经可以被控制了。 CMOS电路之所以会产生Latch-Up效应，我们可以用图2.29来表示。在图中我们以剖面图来看一个CMOS反相器如何发生此效应，而且它是用P型阱制造生产。在这个图中，我们同时也描绘了寄生电路，它包含了两个BJT(一个纵向npn和一个横向pnp