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用于研究SOI的最新(2017年4月)BSIM模型
伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版,其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写,注意,虽然文档中没有说明使用尺寸,但是我试了一下,最小适用于0.18μm,沟长再小,短沟道效应比较严重,器件特性变化明显。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-11-08
文件大小:2097152
提供者:
u011516175
基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究
摘 要:由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:346112
提供者:
weixin_38607088
SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-20
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38694674
基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究
摘 要:由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:337920
提供者:
weixin_38544625