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PECVD对硅材料的钝化作用
PECVD对硅材料的钝化作用 太阳能光伏资料
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-08-17
文件大小:146432
提供者:
cjg0527
NH
SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-10
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38509656