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光电转换电路
光纤通信中的PIN光电二极管转换电路,光电转换及前置放大电路研究,常用光电检测器件 光电转化电路设计 放大电路设计
所属分类:
其它
发布日期:2012-08-30
文件大小:493568
提供者:
kni2525
硅PIN光电二极管探测系统的研究
硅PIN光电二极管探测系统的研究,主要介绍该探测系统的组成及原理,
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-04-22
文件大小:461824
提供者:
pzjohnjohn
KYOSEMI- Si PIN光电二极管KPID150HC系列产品规格书.zip
KYOSEMI- Si PIN光电二极管KPID150HC系列产品规格书zip,KYOSEMI- Si PIN光电二极管KPID150HC系列产品规格书
所属分类:
其它
发布日期:2019-10-23
文件大小:355328
提供者:
weixin_38744435
用于宽范围光电二极管的跨阻抗放大器具有苛刻
这些特点在微弱光检测的场合是非常关键的。 另外TI的产品是一系列的, 在不同的指标要求如带宽升级时可以很方便地找到pin-pin兼容的产品。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:74752
提供者:
weixin_38657835
汽车电子中的Vishay推出新款汽车级PIN光电二极管
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出6颗新的汽车级高速硅PIN光电二极管---VEMD1060X01、VEMD5060X01和VEMD6060X01,以及VEMD1160X01、VEMD5160X01和VEMD6160X01,扩大了Vishay的光电子产品组合。这些器件光电二极管具有出色的光响应线性度,可用于小信号探测。Vishay Semiconductors VEMDxx60X01系列有3种超薄、表面贴装封装,响应速度快,感光面积为0.23mm2、0.85m
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:107520
提供者:
weixin_38591223
基础电子中的高速光电二极管信号调理电子线路图
图1所示电路是一个高速光电二极管信号调理电路,具有暗电流补偿功能。系统转换来自高速硅PIN光电二极管的电流,并驱动20MSPS模数转换器(ADC)的输入。该器件组合可提供400nm至1050nm的频谱敏感度和49nA的光电流敏感度、91dB的动态范围以及2MHz的带宽。信号调理电路采用±5V电源供电,功耗仅为40mA,适合便携式高速、高分辨率光强度应用,如脉搏血氧仪。 图1.具有暗电流补偿功能的光电二极管前置放大器系统(原理示意图:未显示所有连接和
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:109568
提供者:
weixin_38651661
显示/光电技术中的集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下,N+埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极,N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层,而基极注入区则可以被用做阳极,如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管[37~38]。 图1 基极-集电极形成的PIN光电二极管 高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右,这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围(580~1100 nm)内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:73728
提供者:
weixin_38713306
显示/光电技术中的集成横向PIN光电二极管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底(Na=6x1012cm-3)上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管[59~60]。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上,因而I层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度(20 gm)相比拟。因而该PIN探测器的量子效率较高,在未增加抗反射涂层,5 V反向偏压条件下,可测得670 nm波长下响应度为0.32 A/W,870 nm波长下的响应度为6.45 A/W,换算成外部
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:65536
提供者:
weixin_38625184
Vishay微型PIN光电二极管灵敏度介于400nm~1100nm
日前,Vishay公司宣布推出四款高性能TEMD5xxx系列PIN光电二极管,这些器件采用尺寸为4.24×5.0mm、高度为1.12mm的新型微型表面贴装封装,并且具有较高的灵敏度。 Vishay的TEMD5xxx PIN光电二极管系列中最新添加的这些器件具备高速响应性能和较好的灵敏度。这些特性是通过可选的日光过滤和7.5mm2和5.7mm2的对辐射敏感的两个较大面积选择实现的。新器件适于工业、汽车和医疗市场应用,可被用于高速数据传输、光障、告警系统、线性光测量、血糖仪、汽车雨/光
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:43008
提供者:
weixin_38553791
GaN雪崩光电二极管的电场分布和器件设计
我们研究了在不同的反向偏置值下,pin型和独立吸收与倍增(SAM)型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数(包括宽度和浓度)对电场分布(尤其是击穿电压)的影响。 发现较高的p-GaN浓度(高于1x10(18)cm(-3))和较低的i-GaN载流子浓度(低于5x10(16)cm(-3))有助于限制电场并降低击穿电压。 在SAM(PININ)结构,合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度,以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。 最后,提出了各层材料的优化参数。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:610304
提供者:
weixin_38606019
分离吸收分级电荷倍增雪崩光电二极管的等效电路建模
本文针对分离吸收分级电荷乘积(SAGCM)雪崩光电二极管(APD)的频率性能开发了一种新型等效电路模型,该模型包括载流子传输时间,雪崩累积时间和寄生RC元件的影响。 基于等效电路模型,可以在器件制造之前对SAGCM APD的频率和带宽特性进行仿真,仿真结果与实验数据吻合良好。 当M = 1时,也可以模拟传统的Pin光电二极管。 此外,还研究了SAGCM APD和针状光电二极管在不同照射方向下的频率响应。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-22
文件大小:266240
提供者:
weixin_38534352
激光对PIN结光电二极管热破坏机理的研究
就高功率激光对PIN结光电二极管因热效应引起的硬破坏过程进行了理论和实验研究.提出激光的热效应与伴随等离子体扩展时向外喷溅形成的冲刷效应是导致硅光二极管被破坏的主要原因。得到了Q开关YAG激光与PIN结光电二极管器件相互作用时的热分布、最高温度表达式和对应的实验结果。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-11
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38606404
在半绝缘InP衬底上集成半导体激光器、pin光电二极管和FET的光集成片
日本电报电话公司厚木电气通信研究所试制成在光纤通信中用作光信号放大器的光集成片。在半绝缘InP衬底上集成隐埋双异质结InGaAsP激光器、pin光电二极管、2级柱形栅FET(场效应晶体管)四种元件。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38515270
基于PIN光电二极管的微型一氧化氮化学发光传感器
以微型、低成本的PIN光电二极管为光电探测元件, 研制了微型一氧化氮化学发光传感器; 选取Si探测器和InGaAs探测器的5种光电元件, 考察其与一氧化氮发光光谱响应及噪声的关系。结果表明:边长为1.2 mm的正方形Si探测器响应灵敏, 暗电流噪声低, 信噪比最低; 设计的小型光腔实现了微量一氧化氮(体积分数为2×10-6~2×10-4)的测量, 线性度为0.9993; 整个系统的响应时间为0.13 s, 传感器的质量小于50 g, 非常适合用于工业污染源一氧化氮气体的在线监测。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-26
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38750999
高速光电二极管信号调理电子线路图
图1所示电路是一个高速光电二极管信号调理电路,具有暗电流补偿功能。系统转换来自高速硅PIN光电二极管的电流,并驱动20MSPS模数转换器(ADC)的输入。该器件组合可提供400nm至1050nm的频谱敏感度和49nA的光电流敏感度、91dB的动态范围以及2MHz的带宽。信号调理电路采用±5V电源供电,功耗仅为40mA,适合便携式高速、高分辨率光强度应用,如脉搏血氧仪。 图1.具有暗电流补偿功能的光电二极管前置放大器系统(原理示意图:未显示所有连接和
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:120832
提供者:
weixin_38698539
Vishay新款高速PIN光电二极管进一步提升可见光灵敏度,为可穿戴设备实现超薄传感器设计
Vishay新款高速PIN光电二极管 进一步提升可见光灵敏度,为可穿戴设备实现超薄传感器设计 设备提供精准的信号探测,SMD封装尺寸仅为4.8mm×2.5mm,断面实现业界的超薄0.48mm 宾夕法尼亚、MALVERN — 2018年5月21日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出了新的光电子产品系列,发布了一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管---VEMD8080。Vishay的新型号VEMD
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:57344
提供者:
weixin_38526823
Vishay推出汽车级PIN光电二极管,高度低至0.7 mm,提高信噪比
Vishay 推出新款表面贴装汽车级硅 PIN 光电二极管,外形尺寸为 0805,高度仅为 0.7 mm — 比前一代器件低 0.15 mm。Vishay Semiconductors VEMD4010X01 和 VEMD4110X01 采用黑色封装,不透明侧壁,消除多余侧面光,提高信噪比。 日前发布的光电二极管经过 AEC-Q101 ,适合各种应用进行光探测,包括阳光负载传感器,车用雨量、日光和隧道传感器,电梯、车库门、工业设备光幕,非接触式水龙头、马桶和垃圾桶反射传感器。VEMD40
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:43008
提供者:
weixin_38712899
集成横向PIN光电二极管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底(Na=6x1012cm-3)上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管[59~60]。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上,因而I层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度(20 gm)相比拟。因而该PIN探测器的量子效率较高,在未增加抗反射涂层,5 V反向偏压条件下,可测得670 nm波长下响应度为0.32 A/W,870 nm波长下的响应度为6.45 A/W,换算成外部
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:72704
提供者:
weixin_38727980
集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下,N+埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极,N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层,而基极注入区则可以被用做阳极,如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管[37~38]。 图1 基极-集电极形成的PIN光电二极管 高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右,这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围(580~1100 nm)内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:78848
提供者:
weixin_38580959
Vishay推出新款汽车级PIN光电二极管
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出6颗新的汽车级高速硅PIN光电二极管---VEMD1060X01、VEMD5060X01和VEMD6060X01,以及VEMD1160X01、VEMD5160X01和VEMD6160X01,扩大了Vishay的光电子产品组合。这些器件光电二极管具有出色的光响应线性度,可用于小信号探测。Vishay Semiconductors VEMDxx60X01系列有3种超薄、表面贴装封装,响应速度快,感光面积为0.23mm2、0.85m
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-14
文件大小:133120
提供者:
weixin_38557935
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