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PN结正向电压与温度关系的研究与应用
物理实验,PN结正向电压与温度关系的研究与应用资料
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-12-08
文件大小:679936
提供者:
nyszxlzy
PN结的形成过程,很好的
PN结的形成过程.rar 还不错哦 值得推荐
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-07-15
文件大小:237568
提供者:
hndcjiang
pn结温度传感器测温度
利用pn结的温度特性测温度(pn结正向偏置时,温度越高,等效电阻越小)2采用差分放大电路对pn结上的小信号放大测量
所属分类:
电信
发布日期:2011-07-25
文件大小:129024
提供者:
haiyangshishui
PN结的形成及特性解析.pdf
《PN结的形成及特性解析.pdf》很全面,很详实,很好的PN结资料,非常好的资料,希望对你的工作学习有所帮助。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2020-04-23
文件大小:9437184
提供者:
lucjn
电荷群作用产生无偏二极管的PN结
电荷群作用产生无偏二极管的PN结,吴翔,,徐业林制得一种特殊结构二极管,称其为“无偏二极管”。从表面上看,该管结构中只有一种半导体物质,没有通常意义的P型、N型或同�
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-13
文件大小:197632
提供者:
weixin_38525735
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析,陈文丽,李军帅,本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示,GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性,与已有的实验数据相�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-27
文件大小:694272
提供者:
weixin_38625164
微电子学概论学习PN结
关于PN结的介绍,具体工作原理及其结构等一系列特性。
所属分类:
讲义
发布日期:2015-06-19
文件大小:2097152
提供者:
qq_29150037
第六章PN结
PN结,具体的请看文档,里面有一些介绍,电子阅览均可
所属分类:
专业指导
发布日期:2012-10-14
文件大小:5120
提供者:
a1344788664
温度传感器(热电偶、热电阻、PN结)实验讲义
熟悉一些温度传感器测温的原理,其中包括热电偶的原理及现象、热电阻、PN结的原理及现象。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-29
文件大小:203776
提供者:
dyn2010
关于pn结反向偏置电流小的个人理解
pn结是p(加了三价元素),n(加了五价元素),当结合成pn结时,因为p,n之间的粒子浓度不同,下面一起来学习一下
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:29696
提供者:
weixin_38622849
pn结的形成原理
P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子。如下图: pn结的形成 当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候,由于P型半导体中空穴浓度高,而N型半导
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:189440
提供者:
weixin_38656462
PN结工作原理相关知识
pn结 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后,由于N型半导体区内的电子
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:189440
提供者:
weixin_38704284
PN结电容与电压的关系
增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1中的W)。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:226304
提供者:
weixin_38728624
PN结为什么可以单向导电?PN结单向导电原理
二极管是电子电路中很常用的元器件,非常常见,二极管具有正向导通,反向截止的特性。 在二极管的正向端(正极)加正电压,负向端(负极)加负电压,二极管导通,有电流流过二极管。在二极管的正向端(正极)加负电压,负向端(负极)加正电压,二极管截止,没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。 二极管为什么只能单向导电? 二极管是由PN结组成的,即P型半导体和N型半导体,因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如下图所示: 在P型和N型半导体
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:306176
提供者:
weixin_38499349
简析PN结的构成的相关知识
把一块半导体硅片或锗片,通过一定的工艺方法.一边做成P型半导体,另一边做成N型半导体,在两者交界处就会形成一个薄层,这个薄层就是PN 结.如图14-2 (a) 所示。这个PN 结有一个很特别的性能,就是有单方向导电的能力。 如果将P 型半导体部分连接至电源的正电极,N 型半导体部分连接电源的负电极,这种连接称为正向连接,在电子技术中叫做正向偏置在正向偏置的条件下, N 区电压较P 区为负,它将吸引P 区的多数载流子(空穴),使之穿过PN 结流向N 区; P 区电压较N 区电压为正,也将吸引
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:50176
提供者:
weixin_38665804
PN结的秘密 二极管温度补偿讲解与思路指导
本篇文章对二极管中PN结的温度特性进行了解释,并且基于这种特性,对二极管温度补偿电路进行了分析。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-14
文件大小:101376
提供者:
weixin_38686924
基础电子中的PN结的构成
把一块半导体硅片或锗片,通过一定的工艺方法,一边做成P型半导体,另一边做成N型半导体,在两者交界处就会形成一个薄层,这个薄层就是PN结,如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能,就是有单方向导电的能力。 图一 PN结单向导电原理 如果将P型半导体部分连接至电源的正电极,N型半导体部分连接电源的负电极,这种连接称为正向连接,在电子技术中叫做正向偏置。茬正向偏置的条件下,N区电压较P区为负,它将吸引P区的多数载流子(空穴),使之穿过PN结流向N区;P区电压较N区电压为正,也将吸
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-23
文件大小:45056
提供者:
weixin_38662367
PN结相关知识介绍
均匀掺杂的半导体只有很少的应用。几乎所有的固态器件都是由多个P型和N型区域组合而成。P型和N型区域之间的交界面就被称为PN结,或简单的称为结。 图1.8A中是两片硅。左边是一块P型硅,右边则是一块N型硅。只要他们之间没有接触就没有结。每块硅里都有均匀分布的载流子。P型硅里有大量的多数载流子空穴和一些电子,而N型硅里有大量的多数载流子电子和一些空穴。740)this.width=740" border=undefined>图1.8 硅中载流子在结形成前(A)和形成后(B)的分布。 现在,假设
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:33792
提供者:
weixin_38685521
轴向连接的纳米线核-壳pn结:高效太阳能电池的复合结构
提出了一种用于轴向连接纳米线核-壳pn结的高效太阳能电池的复合纳米结构。 通过轴向连接一根纳米线中的pn结,太阳光谱就波长而言在顶部和底部单元中被分离和吸收。 纳米线pn结的独特结构使沿纳米线的大量光吸收以及有效的径向载流子分离和收集成为可能。 耦合的三维光电模拟用于评估结构的性能。 通过出色的电流匹配,在0.283(纳米线阵列的密度)的低填充率下(比串联轴向pn结要高得多),可以实现19.9%的有希望的效率。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-25
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38734492
二极管的PN结介绍
纯净半导体中掺入微量的杂质元素,形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结,PN结具有单向导电性。 PN结形成 当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们的交界面处,由于两种半导体多数载流子的浓度差很大,因此P区的空穴会向N区扩散,同时,N区的自由电子也会向P区扩散,如图1所示。图中 虚线箭头
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:73728
提供者:
weixin_38640242
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