非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列，推出4位状态保存器，以4位 F-RAM技术为基础，无需耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。 　　FM111x 4位状态保存器目前有三款产品：即工作电压为5V的FM1110；以及工作电压为3V