S参数简介
S （散射）参数用于表征使用匹配阻抗的电气网络。这里的散射是电流或电压在传输线路中断情况下所受影响的方式。利用。 S参数可以将一个器件看作一个具有输入和相应输出的"黑匣子",这样就可以进行系统建模而不必关心其实际结构的复杂细节。
当今集成电路的带宽不断提高，因而必须在宽频率范围内表征其性能。传统的低频参数，如电阻、电容和增益等，可能与频率有关，因此可能无法全面描述IC在目标频率的性能。此外，要在整个频率范围内表征一个复杂IC的每个参数可能是无法实现的，而使用S参数的系统级
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级功率，为广播公司节省上万美元的运营成本。MRF6VP3450H在P1dB上提供超过450 瓦的峰值功率，使整个UHF广播频段的功率效率提高50%。
作为飞思卡尔的阵容日益壮大的RF功率LDMOS晶体管系列（用于广播应用）的最新成员，MRF6VP3450H
S参数简介
S （散射）参数用于表征使用匹配阻抗的电气网络。这里的散射是电流或电压在传输线路中断情况下所受影响的方式。利用。 S参数可以将一个器件看作一个具有输入和相应输出的"黑匣子",这样就可以进行系统建模而不必关心其实际结构的复杂细节。
当今集成电路的带宽不断提高，因而必须在宽频率范围内表征其性能。传统的低频参数，如电阻、电容和增益等，可能与频率有关，因此可能无法全面描述IC在目标频率的性能。此外，要在整个频率范围内表征一个复杂IC的每个参数可能是无法实现的，而使用S参数的系统级
