摘要：本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。 　　1 引言 　　近年来，无线通讯系统如无绳电话、手机、无线局域网等，已经成为生活中不可缺少的 一部分。在这些射频收发机中，作为射频核心之一的混频器的性能直接影响整个收发机的性 能。随着无线通讯设备不断