为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些应用提供高性能射频以及微波晶体管并不是一个大挑战，该公司的产品在特性、封装以及应用工程方面具有明显优势。 　　飞思卡尔半导体在生产及销售分立和集成射频半导体器件方面具有雄厚实力。该公司采用HV7工艺的第七代硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc)宣布进一步扩展其Wi-Fi芯片系列，推出专为降低便携式消费类电子产品尺寸及功耗而设计的无线射频(RF)前端方案。 　　此次推出的RangeCharger系列器件，包括SE2550L RF前端模块和SE2523L功率放大器。新产品主要面向802.11b/g无线局域网(WLAN)系统。其中，SE2550L在一个微型芯片级封装内集成了收发器和天线之间所需的所有RF功能，其侧高为0.6mm。而SE2523L是一个独立的功率放大器，带有集

HOLTEK新推出HT83系列语音微控制器　　日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RF Micro Devices,Inc.宣布，该公司在6月5-7日于夏威夷、檀香山举行的2007年IEEE MTT-S国际微波研讨会上展出用于无线基础设施的新系列GaAs pHEMT低噪声放大器(LNA)，并展示其面向商业及军事应用的GaN高功率产品。           RFMD将展出RF386X系列LNA，该系列器件是蜂窝及WiMAX基础设施市场的理想选择。这些新型宽带L

台湾天工通讯(Epic Communications)公司推出四种用于802.11b/g 和802.11a/b/g Wi-Fi产品的小型RF前端模块(FEM)——FM2422、FM2423、FM7704和FM7705。这四种器件采用专利的线性化功率放大器，并且集成了发送/接收(T/R)多功能转换器、低噪音放大器、滤波器、双向双工器、功率检测器，以及所有的偏压和匹配电路。该公司声称，这些RF FEM能以最小的封装替代30多个分立器件和IC器件，适用于如汽车总线、迷你PCI、PCI-Express、