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Rapid thermal processing phosphorus gettering of multicrystalline silicon
多晶硅的快速热处理磷吸杂研究，李晓强，杨德仁，本文利用微波光电导衰减仪和光学显微镜对多晶硅的快速热处理（RTP）磷吸杂进行了研究，发现RTP磷吸杂存在一个最佳吸杂温度900℃。另
所属分类：
其它
发布日期：2020-03-10
文件大小：906240
提供者：
weixin_38538312
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