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Renesas 推出可克服门限值变化影响的新技术
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。
所属分类：
其它
发布日期：2020-12-09
文件大小：21504
提供者：
weixin_38653508
