三星电子有限公司（Samsung Electronics Co., Ltd）日前宣布，已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64Gb多级单元（MLC）NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪存成为主要存储媒介，因此,对闪存的需求快速增长，而这一闪存芯片的出现，成为向更高密度解决方案的重要的飞跃， 　　最多16个64Gb闪存器件可以连接成为128GB的存储卡，存储80部高清晰DVD电影或者32，000个MP3音频文件。 　　30 nm级64Gb的NAND闪存使得存储器的密度在连续的