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  1. SOI全内反射型光波导电光开关模型研究

  2. 根据受抑全反射的光学隧道效应和Goos-Hanchen位移分析SOI全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体戏散效应，p-n结大注入效应的基础上，分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构参数和电学参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38633157