提出了一种简便可行的SOI(Silicon on Insulator)无间距定向耦合光开关(BOA型——Bifurcation Optique Active)模型分析方法.采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理；而用pn结大注入效应分析开关的电学性质；并根据大截面单模SOI脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的这种器件的结构参数和电学参数.