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  1. SOT-363和双色LED 0606 封装

  2. SOT-363和双色LED 0606 封装 Alitum

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-11-30
    • 文件大小：557056
    • 提供者：du110515

  1. ESD保护器件ESD06V36T-4LC的特性与应用

  2. 本文主要介绍了SOT-363封装4通道ESD保护器件ESD06V36T-4LC的特性与应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38646902

  1. NL27WZ07DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NL27WZ07DFT2G封装/温度(℃):SOT-363 /-40~85描述:双缓冲器(漏极开路输出)价格/1片(套):￥1.50  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：23552
    • 提供者：weixin_38674616

  1. NL27WZ17DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NL27WZ17DFT2G封装/温度(℃):SOT-363/-40~85描述:双非反向施密特缓冲器价格/1片(套):￥1.50  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：23552
    • 提供者：weixin_38577648

  1. NL27WZ16DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NL27WZ16DFT2G封装/温度(℃):SOT-363 /-40~85描述:双缓冲器价格/1片(套):￥1.50  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：22528
    • 提供者：weixin_38737521

  1. NL7SZ19DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NL7SZ19DFT2G封装/温度(℃):SOT-363/-40~85描述:2选1数字多路复用器价格/1片(套):￥1.30  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：23552
    • 提供者：weixin_38746442

  1. NL7SZ18DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NL7SZ18DFT2G封装/温度(℃):SOT-363/-40~85描述:2选1数字多路复用器，三态输出价格/1片(套):￥1.20  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：23552
    • 提供者：weixin_38744962

  1. NLVAS4599DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NLVAS4599DFT2G工作电压(V):2~5.5导通电阻(Ω):30功能:1SPDT封装/温度(℃):SOT-363/-55~125描述:单SPDT模拟开关单电源价格/1片(套):￥2.00  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：24576
    • 提供者：weixin_38618784

  1. NLASB3157DFT2G的技术参数

  2. 产品型号:NLASB3157DFT2G工作电压(V):1.65~5.5导通电阻(Ω):7功能:SPDT封装/温度(℃):SOT-363/-55~125描述:单SPDT模拟开关价格/1片(套):￥1.30  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：24576
    • 提供者：weixin_38666823

  1. NTJS3151PT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJS3151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:12 V, 3.3 A, 功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38629206

  1. NTJD4105CT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJD4105CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200最大漏极电流Id(on)(A):0.775通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20V/-8V ，+0.63A/-0.775A MOSFET价格/1片(套):￥1.90  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38680247

  1. NTJS4151PT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJS4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4.200通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:-20 V, -4.2 A功率MOSFET价格/1片(套):￥1.52  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38697753

  1. NTJD4401NT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJD4401NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):375最大漏极电流Id(on)(A):0.630通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V,双N沟道 MOSFET价格/1片(套):￥1.60  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38707862

  1. NTJD1155LT1G的技术参数

  2. 产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38734506

  1. MBD330DWT1G的技术参数

  2. 产品型号:MBD330DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):－平均整流器前向电流IO(max)(A):30瞬间前向电压VF(max)IF(V):0.400非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):－瞬间反转电流IR(max)(mA):0.200封装/温度(℃):SOT-363/-65~125价格/1片(套):￥.80  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38584043

  1. MBD110DWT1G的技术参数

  2. 产品型号:MBD110DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):－瞬间前向电压VF(max)IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):－瞬间反转电流IR(max)(mA):0.25/3.0V封装/温度(℃):SOT-363/-65~125价格/1片(套):￥.80  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38629939

  1. NSR15SDW1T1的技术参数

  2. 产品型号:NSR15SDW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV 10mA封装/温度(℃):SOT-363/-65~150描述:双肖特基二极管价格/1片(套):￥.80  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38664612

  1. NSR15SDW1T1G的技术参数

  2. 产品型号:NSR15SDW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV 10mA封装/温度(℃):SOT-363/-65~150描述:双肖特基二极管价格/1片(套):暂无  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38658568

  1. NSR15TW1T2的技术参数

  2. 产品型号:NSR15TW1T2反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV 10mA封装/温度(℃):SOT-363/-65~150描述:三肖特基二极管价格/1片(套):￥1.20  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38701156

  1. BC847BDW1T1G的技术参数

  2. 产品型号:BC847BDW1T1G类型:双NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):290最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-363/-55~150价格/1片(套):￥.40  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：27648
    • 提供者：weixin_38502929
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