随着无线标准和频带支援越来越多的应用，意法半导体（STMicroelectronic；ST）推出更符合高性能和高整合度市场需求的STW81200 RF合成器。新款STW81200 RF合成器采用BiCMOS （SiGe）制造技术，单晶片整合宽频电压控制震荡器（VCO）、双架构相位锁定回路（PLL）核心、低杂讯稳压器，以及符合各种RF要求的可程式硬体选项。 　　在基地台、无线电链接（radio link）、卫星、通讯、量测等应用中，系统的总体性能与RF合成器的相位杂讯（phase noise）密

随着无线标准和频带支援越来越多的应用，意法半导体（STMicroelectronic；ST）推出更符合高性能和高整合度市场需求的STW81200 RF合成器。新款STW81200 RF合成器采用BiCMOS （SiGe）制造技术，单晶片整合宽频电压控制震荡器（VCO）、双架构相位锁定回路（PLL）、低杂讯稳压器，以及符合各种RF要求的可程式硬体选项。 　　在基地台、无线电链接（radio link）、卫星、通讯、量测等应用中，系统的总体性能与RF合成器的相位杂讯（phase noise）密切相