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  1. ST首款90纳米512M NOR闪存出炉，读取速率达133MHz

  2. 意法半导体(ST)推出最新一代手机专用NOR闪存子系统。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit的单片NOR闪存芯片，以及PSRAM(伪静态随机存取存储器)或LPSDRAM(小功率同步动态随机存取存储器)。最新NOR闪存子系统专为第三代手机应用设计，采用90nm工艺，代码执行速度快，价格低廉。 　　新的闪存子系统采用多片封装(MCP)技术，含有多种芯片组合，包括：512Mbit闪存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit闪存+128

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38684509

  1. ST首款90纳米512M NOR闪存出炉 读取速率达133MHz

  2. 意法半导体(ST)日前推出最新一代手机专用NOR闪存子系统。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit的单片NOR闪存芯片，以及PSRAM(伪静态随机存取存储器)或LPSDRAM(小功率同步动态随机存取存储器)。最新NOR闪存子系统专为第三代手机应用设计，采用90nm工艺，代码执行速度快，价格低廉。 　　新的闪存子系统采用多片封装(MCP)技术，含有多种芯片组合，包括：512Mbit闪存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit闪存+128

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38590685