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  1. Wide-bandgap semiconductor ultraviolet photodectors

  2. 宽禁带半导体资源,关于其制备使用等信息,BN, AlN, SiC等
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-07-02
    • 文件大小:572416
    • 提供者:tjumarkwang
  1. 四大供应商谈FPGA设计诀窍.pdf

  2. 摘要:Actel、Altera、Lattice Semiconductor 和Xilinx 是目前业界最主要的四大FPGA 供应 商,就什么是目前FPGA 应用工程师面对的最主要设计问题?如何解决?等一系列大家非 常关心的关键设计问题发表他们的独到见解。 关键词:FPGA,Actel,Altera,Lattice Semiconductor,Xilinx
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2009-09-17
    • 文件大小:454656
    • 提供者:chokli
  1. Semiconductor Physics And Devices(下)----Neaman

  2. 很好的半导体学习资料,在美国的通俗的入门书籍,可以供大学生或者研究生学习。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-04-04
    • 文件大小:6291456
    • 提供者:kxww102
  1. Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing 5th.pdf

  2. Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing 5th.pdf 中文名《芯片制造——半导体工艺制程实用教程》 我找不到中文版,各位谁有的分享一下吧
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2010-06-02
    • 文件大小:11534336
    • 提供者:qingfenglala
  1. Microchip+Fabrication+A+Practical+Guide+to+Semiconductor+Processing+5th

  2. 本书详细介绍了集成电路产业,生产相关工艺,和芯片封装的概念和相关技术,适合本科生和研究生阅读,会对微电子专业有个比较全面的认识。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-07-04
    • 文件大小:11534336
    • 提供者:mapledove
  1. Basic Semiconductor Physics

  2. 一本关于半导体的书,半导体的量子理论,内容浅显,缺和科研工作挂钩比较多~强烈推荐~
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-03-24
    • 文件大小:13631488
    • 提供者:fjifj
  1. 运放使用指南_national semiconductor

  2. 运算放大器使用指南,美国国家半导体公司 介绍运放参数选择,应用实例,具有很大的参考价值
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-01-15
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:lilijing77
  1. The influence of the Dresselhaus spin-orbit coupling on the tunneling magnetoresistance in ferromagnet/semiconductor/fer

  2. Dresselhaus自旋轨道耦合对铁磁/半导体/铁磁隧穿结中隧穿磁电阻的影响,王晓华,安兴涛,我们研究了Dresselhaus自旋轨道耦合对铁磁/半导体/铁磁双垒结构中自旋输运性质的影响。由于实验技术原因,铁磁体和半导体界面处存在�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-10
    • 文件大小:360448
    • 提供者:weixin_38702515
  1. Transport properties of the spin-polarized electrons in ferromagnet/semiconductor/ferromagnet waveguides

  2. 铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋极化电子输运性质,安兴涛,刘建军,利用散射矩阵方法,我们研究了铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运性质。在半导体中考虑Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合,以及由此引�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-18
    • 文件大小:455680
    • 提供者:weixin_38544781
  1. 38V 2A 1.4MHZ 高效率DCDC降压芯片,同步整流效率更高,无二极管,电路简单可靠。-MT2593.pdf

  2. 38V 2A 1.4MHZ 高效率DCDC降压芯片,同步整流效率更高,无二极管,电路简单可靠。-MT2593.pdfAEROSEMI M12593 40V 3A Buck DC/DC Driver PIN DEscr iptION PIN Symbol Descr iption 悬空 开关功率管输出端,芯片背部的是脚 地 反馈端,反馈端电压为 输出电流采样端,采样电压 电源旁路电容端,与间接电容 电源输入端,范围为 ,对地接电容滤波 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 若无其它
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:529408
    • 提供者:weixin_38744153
  1. 传感技术中的安森美半导体推出先进的1300万像素CMOS图像传感器,采用SuperPD™ PDAF技术

  2. 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON ),进一步扩展成像方案产品阵容,推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD?相位检测自动对焦(PDAF)像素技术,提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通过采用其片上PDAF处理,大大简化集成到智能手机平台和提高相机模
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:120832
    • 提供者:weixin_38612568
  1. 传感技术中的Nordic-Semiconductor蓝牙智能为Ninebot 九号平衡车提供控制和安全功能

  2. 超低功耗(ULP) RF专业厂商Nordic Semiconductor ASA (OSE: NOD)宣布北京的短途交通设备制造商纳恩博科技有限公司 (NinebotInc)选择Nordic的nRF51822系统级芯片(SoC)在Ninebot九号平衡车中提供蓝牙智能(Bluetooth? Smart)无线连接功能。   Ninebot九号平衡车是非常便利且十分有趣的双轮车辆,续航距离长达20 km,由内置的陀螺仪和重量、高度和速度传感器管理自平衡运作,自动记录骑行
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:88064
    • 提供者:weixin_38616435
  1. 元器件应用中的关于MOS管失效,说白了就这六大原因

  2. MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)     —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两     端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。     目前在市场应用方面,排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:358400
    • 提供者:weixin_38559569
  1. 元器件应用中的Vishay新推4款单相桥式整流器,反向电压达1000V

  2. 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型1A微型玻璃钝化的单相桥式整流器,这些器件采用典型高度1.4mm的表面贴装MBLS封装。MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S的反向电压高达1000V,非常适合智能手机充电器的AC/DC全波整流。   此次发布的Vishay General Semiconductor器件的最高峰值反向电压等级为400V(MBL104S)、600V(MBL106S)、800V(MBL108S)和1000V(M
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:72704
    • 提供者:weixin_38663595
  1. 数据转换/信号处理中的Studio One Media与安森美半导体将联合开发音频方案,为消费及工业电子产品提供前所未有的性能

  2. Studio One的突破性音频技术与安森美半导体在音频数字信号处理器(DSP)领域的专知和技术  预计将把AfterMaster:trade_mark:经验带至应用现场   2014年4月9日 - Studio One Media, Inc. (OTCQB代号:SOMD)已经与推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)达成协议,将利用Studio One获奖的AfterMasterTM音频技术与安森美半导体数字信号处理器(DSP)产品开发
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:83968
    • 提供者:weixin_38626473
  1. 首尔半导体新推高亮度LED芯片WH108,仅0.17mm厚

  2. 首尔半导体(Seoul Semiconductor Co, Ltd.)宣布成功研发出厚度只有0.17mm,可以产生比现时同类产品高出两倍光度的LED芯片。此外,首尔半导体现正为该LED芯片申请注册专利。首尔半导体最新研发的“WH108”LED芯片宽1.6mm,长0.8mm,而厚度则大大减少至0.17mm。此外,在5毫安(mA)的低电流下,其光度可达至240mcd。   “WH108” LED芯片凭借其超薄封装和高光度的特性,最适合应用于移动电话的按键,有助制造出最薄的移动电话。此外,由于“W
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:44032
    • 提供者:weixin_38526208
  1. 通信与网络中的飞兆半导体推出新型μSerDes产品,面向便携式应用

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出基于μSerDes技术的强化产品FIN224AC。与备受欢迎的前代产品FIN24AC相比,全新的FIN224AC占用相同的占位面积和基础架构,但却提供增强的静电放电(ESD)保护功能并能降低EMI。对任何手持式电子产品而言,ESD损害都是重要的考虑问题。飞兆半导体将FIN24AC的8kV ESD保护性能提升至FIN224AC的15kV ESD,因而解决了这一难题。另一项改进是降低LVTTL(低电压晶体管到晶体管逻辑)输出
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:57344
    • 提供者:weixin_38610070
  1. 通信与网络中的国半推出业界最小功率最低的串行数字接口时钟恢复器,以满足专业级视频广播设备的市场需求

  2. 这款高清晰度/标准清晰度串行数字接口时钟恢复器不但可以彻底消除信号抖动,而且还内置 4:1 输入多路切换器    美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)日前宣布推出一款型号为 LMH0056 的多速率视频时钟恢复器,其特点是可以通过串行数字接口支持标准清晰度及高清晰度的数据传输。这款 LMH0056 串行数字接口时钟恢复器不但是业界最小、功率最低的多速率时钟恢复器,而且还内置 4:1 的输入多路切换器。美国国家半导体不久前曾推出一款型号为
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-26
    • 文件大小:86016
    • 提供者:weixin_38659374
  1. 电源技术中的飞兆新推Power-SPM模块FPP06R001,协助电源满足能源之星要求

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前为电源设计人员提供一款Power-SPM模块FPP06R001,可提高电源效率以满足能源之星(ENERGY STAR)标准的严格要求。Power-SPM FPP06R001是高度集成的同步整流器模块,协助电源设计提高效率、增强系统稳健性并节省空间。该器件在紧凑的传递模塑封装中集成了2个PowerTrench MOSFET和1个大电流栅极驱动器,能够简化电路板设计,省去多达10个分立元件,并减少板上占用空间达20%。与分立式解决方
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:59392
    • 提供者:weixin_38706055
  1. 电源技术中的安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列,推出18款新计算器件

  2. —全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。         这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-08
    • 文件大小:48128
    • 提供者:weixin_38523618
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