测量了Si(100)(2×1)-Ｈ表面和Si(100)(3×1)-H表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Si(100)(2×1)表面进行了比较。Si(100)(2×1)表面和Si(100)(3×1)-H表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Si(100)(2×1)-H表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在470 K时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。

通过测量基频光波长为1.064 μm时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Si(100)(2×1)样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系,说明在此波长上二次谐波不是来源于表面耗尽场的影响,而是来源于表面态电子。Si(100)(2×1)表面反射二次谐波强度反比于温度的平方。本文提出了一个简单模型,给出了初步解释。