【目的】研究p-Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响，为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN 掺杂浓度固定为1016 cm-3，在改变p-Si 衬底掺杂浓度NA 的情况下，采用一维光电子和微电子器件结构分析模拟软件（AMPS-1D）对InGaN/Si 异质单结太阳电池器件的各项性能参数进行模拟。【结果】随着掺杂浓度NA 的升高，电池的电流密度JSC和填充因子FF 随之升高，当到达一定高的掺杂浓度范围时（NA＞5.00×1017cm-3），JSC