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  1. high-speed Si-gate CMOS devices 74HC125D

  2. The 74HC/HCT125 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC/HCT125 are four non-inverting buffer/line drivers with 3-state outp
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-12-29
    • 文件大小:47104
    • 提供者:xwellchen
  1. 74Hc00手册

  2. 使用手册 FEATURES • Complies with JEDEC standard no. 8-1A • ESD protection: HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V • Specified from −40 to +85 °C and −40 to +125 °C. DEscr iptION The 74HC00/74HCT00 are high-speed Si-gate
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-12-09
    • 文件大小:101376
    • 提供者:suhelu
  1. 74HC14.pdf

  2. The 74HC14 and 74HCT14 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC14 and 74HCT14 provide six inverting buffers with Schmitt-tri
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-10-11
    • 文件大小:123904
    • 提供者:grerad
  1. LSTTL SPEC

  2. high-speed Si-gate CMOS device and is pin compatible with Low-Power Schottky TTL (LSTTL).
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2014-10-14
    • 文件大小:134144
    • 提供者:jackwu623
  1. 74HC04.pdf

  2. 6组非门。 The 74HC/HCT04 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL(LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC/HCT04 provide six inverting buffers.
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-01-20
    • 文件大小:110592
    • 提供者:gu084774107
  1. 74HC08 pdf

  2. 四组双输入与门。 The 74HC/HCT08 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL(LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC/HCT08 provide the 2-input AND function.
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-01-20
    • 文件大小:110592
    • 提供者:gu084774107
  1. 74HC00.pdf

  2. 四组双路与非门。 The 74HC00; 74HCT00 are high-speed Si-gate CMOS devices that comply with JEDEC standard no. 7A. They are pin compatible with Low-power Schottky TTL (LSTTL). The 74HC00; 74HCT00 provides a quad 2-input NAND function.
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-01-20
    • 文件大小:126976
    • 提供者:gu084774107
  1. 74HC08.PDF

  2. 四组两输入与门。 The 74HC/HCT08 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL(LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC/HCT08 provide the 2-input AND function.
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-01-20
    • 文件大小:110592
    • 提供者:gu084774107
  1. 74HC14.PDF

  2. 6路施密特触发反相器。 The 74HC/HCT14 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL). They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC/HCT14 provide six inverting buffers with Schmitt-trigger
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-01-20
    • 文件大小:77824
    • 提供者:gu084774107
  1. A Review on Power MOSFET Device Structures

  2. The paper presents the comprehensive review on the various Power MOSFET structures that have been developed during the past decade. Various structures of Power MOSFET like LDMOS, VDMOS, V-Groove MOS, Trench Gate MOS, FLIMOS, SJ-MOS, and Strained Si
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2018-06-03
    • 文件大小:1011712
    • 提供者:xhwubai
  1. 74HC245 参数及应用

  2. The 74HC245 is a high-speed Si-gate CMOS device and is pin compatible with Low-Power Schottky TTL (LSTTL). The 74HC245 is an octal transceiver featuring non-inverting 3-state bus compatible outputs in both send and receive directions. The 74HC245 fe
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-11-28
    • 文件大小:303104
    • 提供者:weixin_41156421
  1. TX2440A所用芯片手册

  2. DEscr iptION The 74HC4052 and 74HCT4052 are high-speed Si-gate CMOS devices and are pin compatible with the HEF4052B. They are specified in compliance with JEDEC standard no. 7A. The 74HC4052 and 74HCT4052 其中之一芯片,均原版
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-12-17
    • 文件大小:8388608
    • 提供者:weixin_44039429
  1. 74HC1G08(PHILIPS-2路与门)规格书

  2. 74HC1G08(PHILIPS-2路与门) The 74HC1G/HCT1G08 is a high-speed Si-gate CMOSdevice. The 74HC1G/HCT1G08 provides the 2-input AND function. The standard output currents are 1⁄2 compared to the 74HC/HCT08
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-03-06
    • 文件大小:77824
    • 提供者:tonysdu001
  1. R61509V_data_sheet.pdf

  2. The R61509V is a single-chip liquid crystal controller driver LSI for a-Si TFT panel, incorporating RAM for a maximum 240 RGB x 432 dot graphics display, gate driver, source driver and power supply circuits. For efficient data transfer, the R61509V
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-09-25
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_43331296
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的开发Xilinx汽车信息娱乐辅助芯片

  2. Xilinx 汽车 FPGA 应用于几代平台的信息娱乐架构中,作为主机处理器或芯片组理想的辅助器件,基于这种角色,其通常被称为辅助芯片 (Companion Chip)。     赛灵思公司与汽车电子解决方案主要供应商Si-Gate GmbH (www.si-gate.com)合作开发了这一XA汽车ECU开发套件。该套件包括一个带有预工程化硬件接口的开发板,支持众多汽车应用IP。利用这一完整的开发环境,汽车设计人员可快速完成器件评估,迅速完成设计并开始运行   高级联盟成员 Xylon 推出的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:132096
    • 提供者:weixin_38623249
  1. DSP中的XA 汽车 ECU开发套件问世

  2. 赛灵思公司推出赛灵思汽车(XA)电子控制单元(ECU)开发套件。该套件基于赛灵思公司满足汽车应用标准的低成本Xilinx? XA Spartan?-3E 现场可编程门阵列(FPGA)器件。XA 汽车 ECU套件为快速开发车内网络、信息娱乐、辅助驾驶以及驾驶信息系统提供了一个平台。   赛灵思公司与汽车电子解决方案主要供应商Si-Gate GmbH合作开发了这一XA汽车ECU开发套件。该套件包括一个带有预工程化硬件接口的开发板,支持众多汽车应用IP。利用这一完整的开发环境,汽车设计人员可快速完成器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:70656
    • 提供者:weixin_38548421
  1. 汽车电子中的Xilinx为智能汽车子系统设计提供基于FPGA的完整开发系统

  2. 赛灵思推出赛灵思汽车(XA)电子控制单元(ECU)开发套件。该套件基于赛灵思公司满足汽车应用标准的低成本Xilinx XA Spartan-3E 现场可编程门阵列(FPGA)器件。XA 汽车 ECU套件为快速开发车内网络、信息娱乐、辅助驾驶以及驾驶信息系统提供了一个平台。   赛灵思公司与汽车电子解决方案主要供应商Si-Gate GmbH (www.si-gate.com)合作开发了这一XA汽车ECU开发套件。该套件包括一个带有预工程化硬件接口的开发板,支持众多汽车应用IP。利用这一完整的开发
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-25
    • 文件大小:48128
    • 提供者:weixin_38715567
  1. Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN lay

  2. Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-21
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38722607
  1. Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2 and Si3N4/SiO2 Gate Dielectrics

  2. Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2 and Si3N4/SiO2 Gate Dielectrics
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-08
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38675777
  1. Xilinx为智能汽车子系统设计提供基于FPGA的完整开发系统

  2. 赛灵思推出赛灵思汽车(XA)电子控制单元(ECU)开发套件。该套件基于赛灵思公司满足汽车应用标准的低成本Xilinx XA Spartan-3E 现场可编程门阵列(FPGA)器件。XA 汽车 ECU套件为快速开发车内网络、信息娱乐、辅助驾驶以及驾驶信息系统提供了一个平台。   赛灵思公司与汽车电子解决方案主要供应商Si-Gate GmbH (www.si-gate.com)合作开发了这一XA汽车ECU开发套件。该套件包括一个带有预工程化硬件接口的开发板,支持众多汽车应用IP。利用这一完整的开发
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:48128
    • 提供者:weixin_38590775
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